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半导体器件

标准号:GJB 5914-2006   标准名称:各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法       2006-12-15

基本信息

【名称】 半导体器件
【英文名称】 semiconductor devices
【定义】 在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电和光电功能的基本单元。该基本单元可由包 括半导体材料在内的多个零件组成,通常不破坏是不能将其分解的。

同源术语

·破坏性物理分析为验证半导体器件的设计、结构、材料和制造质量是否满足预定用途或有关规范的要求,对半导体 器件样品进行解剖,以及解剖前后进行一系列检验和分析的全过程。
·半导体器件质量等级半导体器件装机使用之前,按产品执行标准或供需双方的技术协议,在制造、检验及筛选过程中其 质量的控制等级。 例如:按 GJB/Z 299B-1998 中将军用密封半导体集成电路分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2、C1和 C2八个质量等级; 将军用混合集成电路(含多芯片组件)、军用半导体分立器件分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2和 C 七个质量等级。
·生产批在同一生产线上采用相同的设计、结构、材料、工艺、控制,按相同的产品规范制造出来的一批半 导体器件。生产批一般以半导体器件外壳上标注的生产日期代码或批号来识别。
·缺陷外形、装配、功能或工艺不符合规定的要求即构成缺陷。 当 DPA 用于批质量评价时,除非另有说明,半导体器件的缺陷将作为批拒收的依据。
·批次性缺陷在设计、制造过程造成的、在同一批半导体器件中重复出现的缺陷。 例如:半导体器件由于掩膜造成的钝化层、金属化层缺陷等。
·可筛选缺陷可用有效的非破坏性检验方法筛选剔除的缺陷。

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