基本信息

同源术语

·半导体器件：	在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电和光电功能的基本单元。该基本单元可由包 括半导体材料在内的多个零件组成，通常不破坏是不能将其分解的。
·破坏性物理分析：	为验证半导体器件的设计、结构、材料和制造质量是否满足预定用途或有关规范的要求，对半导体 器件样品进行解剖，以及解剖前后进行一系列检验和分析的全过程。
·半导体器件质量等级：	半导体器件装机使用之前，按产品执行标准或供需双方的技术协议，在制造、检验及筛选过程中其 质量的控制等级。 例如：按 GJB/Z 299B－1998 中将军用密封半导体集成电路分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2、C1和 C2八个质量等级； 将军用混合集成电路(含多芯片组件)、军用半导体分立器件分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2和 C 七个质量等级。
·生产批：	在同一生产线上采用相同的设计、结构、材料、工艺、控制，按相同的产品规范制造出来的一批半 导体器件。生产批一般以半导体器件外壳上标注的生产日期代码或批号来识别。
·缺陷：	外形、装配、功能或工艺不符合规定的要求即构成缺陷。 当 DPA 用于批质量评价时，除非另有说明，半导体器件的缺陷将作为批拒收的依据。
·可筛选缺陷：	可用有效的非破坏性检验方法筛选剔除的缺陷。

相关术语

·最小假设初始缺陷尺寸：	为用于分析结构剩余强度和裂纹增长特性而假设的初始最小缺陷。 （GJB 540.10-88 飞航导弹强度和刚度规范地面试验）
·初始缺陷：	初始缺陷是认为导弹在交付使用之前结构就带有的预存缺陷(如孔边角裂纹，孔边穿透裂纹等)。 （GJB 540.10-88 飞航导弹强度和刚度规范地面试验）
·缺陷分析：	通过检查技术及管理(非技术的)数据,确定造成电气、机械及物理特性超出规定界限的原因。 （GJB 546-88 电子元器件可靠性保证大纲）
·磁带缺陷：	指磁带磁层的空洞，表面粘附氧化物或裁带碎屑、磨损产物、外界颗粒状物质，以及裁带宽 度超差。带基材料压光不当等。 （GJB 727-89 遥测系统术语）
·玻璃钝化层：	芯片顶层的透明绝缘材料，它覆盖了除键合区和梁式引线以外的有源电路区。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·玻璃钝化层的裂纹：	在玻璃钝化层中的细微裂缝。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·金属化层的粘附不良：	不是由于设计要求而出现的金属化层材料与下面基板的分离，空气桥和由设计切去金属层下部的情 况除外。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·多层布线金属化层(导体 )：	用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间用绝缘材料(也称为层间 介质)彼此隔离(见图 3)。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·工作金属化层(导体)：	用作起互连作用的所有金属层或任何其他导电材料层，不包括金属化的划片槽、测试图、未连接的 功能电路元件、不使用的键合区和识别标志。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·钝化层：	在金属淀积之前或在多层布线器件的各金属层之间，在芯片上直接生长或淀积的氧化硅、氮化硅或 其他绝缘材料。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）