| 半导体器件： | 在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电和光电功能的基本单元。该基本单元可由包
括半导体材料在内的多个零件组成，通常不破坏是不能将其分解的。 |
| 破坏性物理分析： | 为验证半导体器件的设计、结构、材料和制造质量是否满足预定用途或有关规范的要求，对半导体
器件样品进行解剖，以及解剖前后进行一系列检验和分析的全过程。 |
| 半导体器件质量等级： | 半导体器件装机使用之前，按产品执行标准或供需双方的技术协议，在制造、检验及筛选过程中其
质量的控制等级。
例如：按 GJB/Z 299B－1998 中将军用密封半导体集成电路分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2、C1和 C2八个质量等级；
将军用混合集成电路(含多芯片组件)、军用半导体分立器件分为 A1、A2、A3、A4、B1、B2和 C 七个质量等级。 |
| 生产批： | 在同一生产线上采用相同的设计、结构、材料、工艺、控制，按相同的产品规范制造出来的一批半
导体器件。生产批一般以半导体器件外壳上标注的生产日期代码或批号来识别。 |
| 缺陷： | 外形、装配、功能或工艺不符合规定的要求即构成缺陷。
当 DPA 用于批质量评价时，除非另有说明，半导体器件的缺陷将作为批拒收的依据。 |
| 批次性缺陷： | 在设计、制造过程造成的、在同一批半导体器件中重复出现的缺陷。
例如：半导体器件由于掩膜造成的钝化层、金属化层缺陷等。 |
| 可筛选缺陷： | 可用有效的非破坏性检验方法筛选剔除的缺陷。 |