基本信息

同源术语

·BF3 计数管：	充有三氟化硼(BF 3 )气体，用于探测中子的正比计数管。起始电离是由中子与 10 B 发生核 反应产生的α粒子和锂核引起的。
·３He 计数管：	充有３He 气体，用于探测中子的正比计数管。起始电离是由中子与3He 发生核反应产生的 质子和氚核引起的。
·本底：	在规定条件下，待检测的辐射不存在时，计数管的计数率。

相关术语

·阴极射线管显示器：	由阴极射线管构成的显示装置。 （GJB 727A-98 航天测控系统术语与缩略语）
·1MeV等效中子注量：	半导体材料接受具有能谱分布的各种不同能量中子注量的辐照，产生位移损伤，用产生 与此相同位移损伤的1MeV中子注量表征，可用下式求得： （GJB 762.1-89 半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验）
·正比计数管：	工作在正比区的计数管。 （GJB 188.2-88 防化术语 核监测）
·中子电离室：	含有10B 材料(涂层或充气)，用于探测中子的电离室，电离主要是由中子与10B 进行核反应 产生的α粒子和锂核引起的。 （GJB 3613.2-99 潜艇核动力装置核测量系统用辐射探测器中子电离室详细规范）
·中子灵敏度：	单位中子注量率所产生的计数率或电流。 （GJB 3613-99 潜艇核动力装置核测量系统用辐射探测器通用规范）
·工具阴极：	电解加工时，工件要求的形状和尺寸是由阴极的形状和尺寸所决定，阴极起到了成型 工具的作用，故称工具阴极。 （HB/Z 314-98 钛合金电解加工）
·快中子脉冲堆：	主要由快中子引起裂变的、用于产生强中子脉冲的反应堆。 （GJB 3495-98 快中子脉冲堆中子能谱测量方法）
·快中子临界装置：	主要由快中子引起裂变的临界装置。 （GJB 3495-98 快中子脉冲堆中子能谱测量方法）
·阴极防护室：	安装阴极防护装置监控台的舱室。 （GJB 4255-2001 舰船舱室命名）
·中子本底：	裂变材料在发生链式反应前的中子强度。 （GJB 3687-99 军用核材料术语）