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基本信息

【范围】	1.1 主题内容 本标准规定了半导体器件(分立器件和微电路)中子辐照试验方法的使用设备要求和试验 程序。 1.2 适用范围 本标准适用于辐射加固保证的半导体器件和一般半导体器件的中子辐照试验，电子元件 和系统亦应参照使用。中子辐照试验属于破坏性试验。 1.3 试验目的 a. 在规定的中子注量辐照前后，分别测量规定的电参数，确定变化是否在规定的范围或 极限值之内； b. 测量器件的中子辐照敏感电参数随中子注量的变化关系。
【与前一版的变化】

包含术语

1MeV等效中子注量：	半导体材料接受具有能谱分布的各种不同能量中子注量的辐照，产生位移损伤，用产生 与此相同位移损伤的1MeV中子注量表征，可用下式求得：
φ /D比：	辐射源在同一时间间隔内向辐射场某一点发射的中子注量(φ )(中子能量大于10KeV)除 以该点Y射线吸收剂量(D)之商。单位为m-2·Gy-1。
阴影屏蔽：	辐射源虽然未被全部遮蔽，但在源和被屏蔽物体之间直接辐射不能自由穿行的屏蔽方式。

引用文件/被引文件

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包含图表

1MeV等效中子注量

1MeV等效中子注量