用户名:
密码:
登 录
个人中心
系统维护
用户注册
联系我们
当前位置 >
首页
> 术语细览
中子电离室
标准号:
GJB 3613.2-99
标准名称:潜艇核动力装置核测量系统用辐射探测器中子电离室详细规范
1999-03-24
基本信息
【名称】
中子电离室
【英文名称】
neutron ionization chamber
【定义】
含有10B 材料(涂层或充气),用于探测中子的电离室,电离主要是由中子与10B 进行核反应 产生的α粒子和锂核引起的。
同源术语
·
γ电离室
:
探测γ辐射的电离室。电离主要是由 γ 射线与室壁和气体发生康普顿效应、光电效应和 电子对效应产生的电子引起的。
·
饱和电流
:
在给定辐照条件下,当所加电压足够高(但未到气体放大区),以致于所有的离子对都被收 集时所获得的电离电流。
·
补偿因子
:
补偿式电离室伴生辐射的感应度与同一电离室无补偿时对同一伴生辐射感应度的比值。 补偿率为补偿因子的倒数。
相关术语
·
磁性氧化物涂层(磁层)
:
涂在带基材料上形成磁带的磁性材料。磁性氧化物涂层包括氧化物颗粒、粘结剂及磁带系 统正常工作所必需的其他增塑材料和润滑材料(参见背敷层定义)。
(
GJB 21.4A-92
遥测标准计测磁带)
·
装甲涂层
:
在车体炮塔装甲内壁或外壁涂刷的对车辆具有某种防护作用的非金属层。不同材料具有 不同的作用,例如消弱贯穿辐射线、吸收雷达波、反红外线侦察、绝热隔音等。最简单的装甲涂 层是迷彩、防滑和防锈的油漆。
(
GJB 742-89
装甲车辆术语、符号)
·
芯片涂层
:
为消除封装所产生的应力和防止芯片表面的划伤,在半导体器件表面所涂覆的一层软聚酰亚胺。
(
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序)
·
1MeV等效中子注量
:
半导体材料接受具有能谱分布的各种不同能量中子注量的辐照,产生位移损伤,用产生 与此相同位移损伤的1MeV中子注量表征,可用下式求得:
(
GJB 762.1-89
半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验)
·
电离室
:
灵敏体积内含适当气体的电离探测器。探测器电极间加有电场,此电场不足以引起气体放 大,低能把与电离辐射在灵敏体积内产生的电子、离子有关的电荷收集在电极上。
(
GJB 188.2-88
防化术语 核监测)
·
电流电离室
:
以平均电流形式提供信息的电离室。
(
GJB 188.2-88
防化术语 核监测)
·
布喇格-戈瑞空腔电离室
:
用于测定介质中吸收剂量(如x射线或γ 射线的吸收剂量)的电离室。它的特性(灵敏体 积、气体压力、壁的性质和厚度)要使所规定的布喇格-戈瑞空腔的条件在实际上能得到满足。
(
GJB 188.2-88
防化术语 核监测)
·
充气电离室
:
充入某种气体作为电离介质的电离室。
(
GJB 188.2-88
防化术语 核监测)
·
次级发射探测器(真空电离室)
:
具有确定界壁的真空腔的辐射探测器,其电流是由次级带电粒子从腔壁上射出,并在适当 的外加电压下被收集而形成的。
(
GJB 188.2-88
防化术语 核监测)
·
防热涂层
:
在结构表面上起热防护作用的表面层。
(
GJB 421-88
卫星术语)