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1MeV等效中子注量

标准号:GJB 762.1-89   标准名称:半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验       1989-08-24

基本信息

【名称】 1MeV等效中子注量
【英文名称】 The 1MeV equivalent neutron fluence
【定义】 半导体材料接受具有能谱分布的各种不同能量中子注量的辐照,产生位移损伤,用产生 与此相同位移损伤的1MeV中子注量表征,可用下式求得:

同源术语

·φ /D比辐射源在同一时间间隔内向辐射场某一点发射的中子注量(φ )(中子能量大于10KeV)除 以该点Y射线吸收剂量(D)之商。单位为m-2·Gy-1。
·阴影屏蔽辐射源虽然未被全部遮蔽,但在源和被屏蔽物体之间直接辐射不能自由穿行的屏蔽方式。

相关术语

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