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阴影屏蔽

标准号:GJB 762.1-89   标准名称:半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验       1989-08-24

基本信息

【名称】 阴影屏蔽
【英文名称】 Shadow、shield
【定义】 辐射源虽然未被全部遮蔽,但在源和被屏蔽物体之间直接辐射不能自由穿行的屏蔽方式。

同源术语

·1MeV等效中子注量半导体材料接受具有能谱分布的各种不同能量中子注量的辐照,产生位移损伤,用产生 与此相同位移损伤的1MeV中子注量表征,可用下式求得:

·φ /D比辐射源在同一时间间隔内向辐射场某一点发射的中子注量(φ )(中子能量大于10KeV)除 以该点Y射线吸收剂量(D)之商。单位为m-2·Gy-1。

相关术语

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GJB 744-89 火炮术语、符号)
·辐射源能发射电离辐射的装置或物质。
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·遮蔽能力1克发烟剂产生1立方米体积烟幕的衰减率。
GJB 188.8-90 防化术语发烟)
·辐射源能发射电离辐射的装置或物质。
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