| ·增强低剂量率敏感度： | 用于指某一样品在剂量率低于 0.5Gy(Si)/s 时，增强辐射产生的破坏。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率感应锁定： | 这是一种可恢复的器件效应。由于电离辐射脉冲产生的光电流作用，使器件内寄生结构(例如 p－n
－p－n 或 n－p－n－p 四层通路)导通，而且在光电流消失后仍维持一段不确定时间的导通状态。只要电
源电压大于维持电压、电流大于维持电流，器件就维持锁定。锁定破坏了电路中某一部分的正常工作，
并可能由于半导体区域、金属化层或键合线的局部过热引起器件致命损坏。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率翻转的阈值： | 能引起下述任一种现象出现的剂量率：
a) 瞬态输出翻转，即处于工作状态的数字集成电路，输出电压发生变化，而高于或低于规定的逻
辑电平(瞬态电压判据见 3.2)，但在辐射脉冲停止作用后，电路立即恢复至辐射前的状态。
b) 数据存贮或逻辑状态翻转，有一个或多个内部存贮或逻辑单元的状态发生变化，而且在辐射脉
冲作用后并不能立即得到恢复。但是，如果在输入端施加一个与原先用来建立辐射前状态时相
同的逻辑信号序列，可使电路恢复至辐射前的条件状态。
c) 动态翻转，正处于工作状态的器件受辐射时，其正常输出或存贮的测试图形发生变化。翻转响
应可取决于辐射脉冲与器件工作周期之间精确的时间关系。由于工作时需要许多时钟信号，使
用宽辐射脉冲是必需的。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率： | 给定材料的单位质量在单位时间内从其受辐射的辐射场中吸收的能量。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率响应： | 在给定剂量率的辐射脉冲作用下，处于工作状态的线性微电路的参数瞬态变化。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率： | 在单位时间内，单位质量的给定材料从对其作用的辐射场中吸收的能量。Gy(Si)/s，Gy(SiO2)/s，Gy(GaAs)/s 等等。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率感应翻转： | 当规定参数(如：输出电压、电源电流、输出信号波形)辐射感应的瞬态变化超过规定水平时所发生
的翻转。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·翻转阈值： | 器件翻转的最小剂量率。然而，记录中所测得的翻转阈值应是最大剂量率，该剂量率是器件未翻转
且输出波形和(或)电源电流的瞬态干扰仍保持在规定极限范围内的情况下测得的数值。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·阈值： | 最小输入量的最大绝对值。由该输入量所产生的输出量至少应等于按标度因数所期望输
出的50％(见图2)。
（GJB 585-88 惯性技术术语） |
| ·激光阈值： | 激光陀螺仪中，激光增益刚好超过损耗的放电电流。
（GJB 585-88 惯性技术术语） |