| ·剂量率响应： | 在给定剂量率的辐射脉冲作用下，处于工作状态的半导体器件电参数的瞬态变化称为剂
量率响应。 |
| ·初始光电流： | 由于电离辐射在P—N结附近产生大量的电子——空穴对，过量的电荷载流子穿过P—N
结而构成的电流称为初始光电流。 |
| ·稳态初始光电流： | 辐射脉冲宽度最低限度必须超过半导体器件少数载流子寿命的一倍所产生的初始光电
流。 |
| ·非稳态初始光电流： | 辐射脉冲的宽度不超过半导体器件少数载流子寿命的一倍所产生的初始光电流。 |
| ·辐射引起的闭锁： | 深闭锁：深闭锁是一种持续性(或大于100μs)的功能失效，如果在这期间器件尚未烧毁,可
通过切断偏置电源,中止其错误的工作状态。
初始闭锁：初始闭锁是一种非持续性(小于100μs)的功能失效。 |
| ·定态集成电路： | 输出是输入的唯一函数，而且只有当输入变化时，输出才变化的电路(如“与”、“或”门等)。 |
| ·非定态集成电路： | 输出不是输入的唯一函数的集成电路(如触发器、移位寄存器等)。 |
| ·翻转的剂量率阈值： | 引起工作的数字集成电路的瞬态输出电压大于规定的最大低电平(对低电平输出状态)、
或小于规定的最小高电平(对高电平输出状态)、或引起任一存贮数据变化的剂量率称为该数
字集成电路翻转的剂量率阈值。 |