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批次性缺陷
标准号:
GJB 4027A-2006
标准名称:军用电子元器件破坏性物理分析方法
2006-10-20
基本信息
【名称】
批次性缺陷
【英文名称】
lot related defect
【定义】
在设计、制造过程造成的、在同一批元器件中重复出现的缺陷。 例如:半导体器件由于掩膜造成的钝化层、金属化层缺陷等。
同源术语
·
电子元器件
:
在电子线路或电子设备中执行电气、电子、电磁、机电和光电功能的基本单元。该基本单元可由多 个零件组成,通常不破坏是不能将其分解的。
·
破坏性物理分析
:
为验证元器件的设计、结构、材料和制造质量是否满足预定用途或有关规范的要求,对元器件样品 进行解剖,以及解剖前后进行一系列检验和分析的全过程。
·
生产批
:
在同一生产线上采用相同的设计、结构、材料、工艺、控制,按相同的产品规范制造出来的一批电 子元器件。生产批以电子元器件外壳上标注的生产日期代码或批号来识别。
·
缺陷
:
外形、装配、功能或工艺不符合规定的要求即构成缺陷。 当 DPA 用于批质量评价时,除非另有说明,元器件的缺陷将作为批拒收的依据。
·
可筛选缺陷
:
可用有效的非破坏性检验方法筛选剔除的缺陷。
相关术语
·
最小假设初始缺陷尺寸
:
为用于分析结构剩余强度和裂纹增长特性而假设的初始最小缺陷。
(
GJB 540.10-88
飞航导弹强度和刚度规范地面试验)
·
初始缺陷
:
初始缺陷是认为导弹在交付使用之前结构就带有的预存缺陷(如孔边角裂纹,孔边穿透裂纹等)。
(
GJB 540.10-88
飞航导弹强度和刚度规范地面试验)
·
电子元器件
:
能完成预定功能而不能再分割的电路基本单元。如电容器、插头座、滤波器、电阻器、开关、 继电器、变压器、晶体、电子管和半导体器件等。
(
GJB 546-88
电子元器件可靠性保证大纲)
·
缺陷分析
:
通过检查技术及管理(非技术的)数据,确定造成电气、机械及物理特性超出规定界限的原因。
(
GJB 546-88
电子元器件可靠性保证大纲)
·
电子元器件
:
执行预定功能而不可再拆装的电路基本单元,如电容器、电阻器、电感器、继电器、连接器、 滤波器、开关、晶体器件、半导体器件、纤维光学器件等。
(
GJB 546A-96
电子元器件质量保证大纲)
·
磁带缺陷
:
指磁带磁层的空洞,表面粘附氧化物或裁带碎屑、磨损产物、外界颗粒状物质,以及裁带宽 度超差。带基材料压光不当等。
(
GJB 727-89
遥测系统术语)
·
有规定寿命期限元器件引起的失效
:
有规定寿命期限的元器件,工作时间超过了其规定的更换期限而未更换所引起的失效。
(
GJB 16-84
地面炮瞄雷达可靠性试验方法)
·
金属化层的粘附不良
:
不是由于设计要求而出现的金属化层材料与下面基板的分离,空气桥和由设计切去金属层下部的情 况除外。
(
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序)
·
多层布线金属化层(导体 )
:
用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料,这几层材料之间用绝缘材料(也称为层间 介质)彼此隔离(见图 3)。
(
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序)
·
工作金属化层(导体)
:
用作起互连作用的所有金属层或任何其他导电材料层,不包括金属化的划片槽、测试图、未连接的 功能电路元件、不使用的键合区和识别标志。
(
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序)