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基本信息

GJB 128-86
半导体分立器件试验方法
1986-05-08
0001-01-01
有效
电子工业部第十三研究所;电子工业部标准化研究所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
金属化;试验条件;器件;详细规范;不合格
【范围】 1.1 目的 本标准是半导体分立器件的统一试验方法,其中包括军用条件下抗损害能力的基本环境 试验及机械特性试验。本标准中“器件”一词包括晶体管、闸流晶体管、普通二极管、稳压、整流 及遂道二极管等一类的器件。本标准仅适用于半导体分立器件,其中所描述的试验方法是要达 到以下几个目的。 a. 规定试验室中试验条件要适当,使试验结果等效于现场试验结果,试验结果要能重 复,但这不能理解为试验条件完全等同某一地区真实的工作条件,因为众所周知,只有在某一 地区真实条件下的工作才是那个地区工作的真实试验。 b. 目前在许多详细规范中规定的性质相似的试验方法都采用同一个标准,使这些方法 统一起来,充分利用试验仪器、设备并节约工时。为此,必须制定出很多器件适用的通用试验方 法。 1.2 分类编号 试验方法是按下列类别分配编号。 1.2.1 试验分类 试验分为两类,编号从1001到1999为环境试验,编号从2001到2999为机械试验。 1.2.2 修订 试验方法的修订是采用连续编号方式,用“·”号把试验方法编号和修订编号分开。例如, 1001.1是指1001试验方法的第一次修订。因本标准是等效采用MIL标准的有关部分,为了不 引起混乱,本标准仍采用MIL.标准试验方法编号和修订编号。 1.3 引用方法 在应用时,在详细规范中引用本标准的试验方法时应注明;本标准编号、试验方法编号及 所引试验方法摘要中的详细要求。为了避免由于修改本标准而引起修改引用本标准的规范,因 此,当引用试验方法编号时,不要引用修订编号,例如,引用1001,而不引用1001.1。
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
电工电子产品基本环境试验规程 名词术语
可靠性基本名词术语
量和单位。
半导体分立器件详细规范GP、GT和GCT级3DD3767型NPN硅功率晶体管详细规范
半导体分立器件详细规范GP、GT级QL12300A、QL12300D和13300H型硅单相桥式整流器详细规范
半导体分立器件详细规范GP、GT级2CL59K、2CL60K、2CL80K、2CLl50K型硅高压整流堆详细规范
半导体分立器件总规范
军用电气和电子元器件的标志
发光二极管固体显示器总规范
有可靠性指标的功率型电磁继电器总规范
航船整流装置通用规范
混合集成电路总规范
混合集成电路生产设施和生产线的认证要求
宇航用电子元器件选用指南半导体分立器件

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半导体分立器件整流二极管空白详细规范
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包含图表

非圆柱型半导体器件对
圆柱型半导体器件对加
最低气压
浸水试验条件
样品施加直流电压
1综合温度/湿度周期
与试验溶液有关的注意
老化电压
交流电阻断电压电路
直流正向阻断电压电路
盐液过滤器
盐液过滤器安装位置
热冲击试验条件
1温度极值下的试验时
热冲击(玻璃应力)循环
活化参数
活化压力及吸收时间
器件的实际漏泄率
接触工具把力均匀地加
芯片或接触工具可以旋
3接触工具应把力缓慢
芯片剪切强度标准
建议用浸渍装置
合格的焊接引出线
脱焊的引出线
合格的多股线
焊缝不完整的多股线
用于评定容许5%面积有
用于评定容许5%面积
焊料涂层中的小缺陷,
合格的焊料涂层--针孔
引线上有污物或杂质
引线上的污物后砸在
透过焊料涂层的金属
透过焊料涂层的金属性
大面积的涂料层不光明
焊接涂层的气孔
焊接涂层的气孔
在靠近器件的引线上,
最低键合强度
A曲线-金(密封前)
最优拉力
典型阈值检测器简图
典型颗粒碰撞噪声碰撞
对于加速度20g外壳高
典型灵敏度测试装置
放在要求
划痕标准
针孔标准
氧化层及扩散缺陷
偶扩散保护环的钝化平
有扩散保护环的钝化平
有划片槽的氧化层钝化
没有划片槽的氧化层钝
玻璃裂纹及残缺
封装畸形
3焊料凸出
触须嵌入
尖端接触
芯片边缘接触
触须底侧边接触
点接触
触须压缩高度
弯曲压缩高度
芯片倾斜
焊料凸出
焊料流失
4 芯片对准
芯片倾斜
6芯片残缺
芯片裂纹
径向裂纹
环形裂纹
玻璃气泡
密封弯月面高度
管脚缺陷
焊接对准
内部结构
焊料空洞
焊料跨接
焊料空隙
焊料溢出
焊料碎料及钉状物
芯片-芯片焊料焊接
玻璃裂纹
密封区短
3 密封区缺陷)
插头对准
插头没对准
不完整的焊接
触须碰到管壁
触须圆环相碰
触须偏离垂直方向100
芯片碰到玻璃管壳(
芯片位移
芯片倾斜
菱形管座结构
外形及视图识别
对各种金属化淀积室结
对各种金属化淀积室结

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