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基本信息

GJB 548-88
微电子器件试验方法和程序
Test Methods and Procedures for Microelectronics
1989-06-22
1989-12-01
有效
电子工业部标准化研究所;航天工业部标准化研究所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
器件;金属化层;试验条件;引线;键合强度
【范围】 1.1 目的 本标准规定了试验微电子器件的统一方法及程序,其中包括为了确定正常元件的抗损坏 能力、军用和空间运用环境条件而进行的环境试验、物理试验和电试验。本标准中“器件”一词 系指单片、多片、薄膜和混合微电路,微电路阵列,以及构成电路和阵列的诸元件。本标准仅适 用于微电子器件。本标准所述的试验方法拟达到以下目的: a.规定在实验室中对某等级器件能施用的恰当试验条件,在该条件下所提供的试验结果 等效于现场实际工作条件下的结果并且具有重复性。但不能把本标准所规定的试验解释成它 们严格地、确切地代表了任何地理的或外层空间位置的实际工作,因为只有在特定用途和位置 下的真实的工作试验才是在相同条件下的实际的性能试验; b.把军用微电子器件规范中出现的类似特性的全部测试方法规定在一个标准中,这样就 能使这些方法统一,并可充分利用仪器、工时和试验设备。为了达到这一目的,必须使每个通用 试验方法具有广泛的适用性; c.本标准所规定的微电子器件的环境试验、物理试验及电试验方法,在适当时,也适用于 已批准的军用规范所未包括的部分。 1.2 GJB548的采用 生产和试验符合GJB548要求的认证(R)器件,采用本标准时,则生产和试验应符合所有 适用的总要求,尤其是试验方法和程序的那些要求,任何背离或省略都可能导致制造厂的认证 和(或)产品鉴定的取消。 1.2.1 非R器件采用GJB548 当非R器件用下列任一方式表明其生产和试验(包括所有筛选和质量一致性检验)是采 用了GJB548时,则生产和试验应符合所有适用的总要求,尤其是不应偏离和省略试验方法和 程序的要求。这些方式是: 在器件上打上采用GJB548的标志。 在适用的认证合格证书上说明该种器件符合GJB548的要求; 在广告上,或在出版的小册子上,或在销售文件上说明所提供的器件符合GJB548的要 求; 采用了按GJB548所制订的采购标准。 a.供应方应按照所测试的实际参数、条件、极限和测试温度,把适用于电筛选、A组质量 一致性检验的电特性(参数、试验条件、试验极限和适用的试验温度)及其他质量一致性检验的 终点测试用文件清楚地作出规定。对器件设计和应用有重要意义的所有参数都应包括在适用 详细规范的特性和测试要求之中。供应方的电试验规范必须以某种格式用文件加以规定,该文 件可对用户作解释,需要时必须提交给用户; b.完全符合GJB548方法5004、5005或5008要求,或通过使用方法5004或5008的筛 选表而意味着符合其要求的器件,最低限度必须满足下列GJB597的要求; (1) 所有术语和条件(“鉴定机构”除外)应符合3.1.3条规定。 “鉴定机构”是供货方内独立于负责器件筛选的小组的组织;或者是供货方以外的独立组 织。 (2)封装应符合3.5.1规定; (3)金属材料应符合3.5.2规定; (4)其他材料应符合3.5.3规定; (5)设计文件应符合3.5.4规定(除向鉴定机构提交文件外); (6)内部导体应符合3.5.5规定; (7)引线材料及涂覆应符合3.5.6规定; (8)芯片涂覆与安装应符合3.5.7规定; (9)玻璃钝化应符合3.5.8规定; (10)芯片厚度应符合3.5.9规定; (11)激光划片应符合3.5.10规定; (12)内引线间距应符合3.5.11规定; (13)标志应包括以下内容: (a)标志点; (b)器件编号; (c)检验批识别代码; (d)制造厂识别标志; (e)制造厂名称代号; (f)产品国别; (g)静电放电敏感性识别标志。 (14)检验批识别代码应符合3.6.3规定; (15)制造厂识别标志应符合3.6.4规定; (16)制造厂名称代号应符合3.6.5规定; (17)标志的位置及次序应符合3.6.9规定(除3.6.9.1外); (18)包装上的标志应符合3.6.10规定; (19)受控贮存的标志选择应符合3.6.11规定; (20)质量一致性检验的标志选择应符合3.6.12规定; (21)工作质量和返工(包括键合返工)应符合3.7规定; (22)试验和检验的职责应符合4.1规定; (23)存放已超过36个月的批的重新试验应符合4.2规定; (24)一般检验条件应符合4.3规定; (25)质量一致性检验应符合4.5规定[除供货方的电试验规范(它可替代GJB597的详细 规范)应符合上述1.2.1a规定外]; (26)筛选应符合4.6规定[除供货方的电试验规范(它可替代GJB597的详细规范)应符 合上述1.2.1a规定外]; (27)数据记录应符合4.8规定; (28)包装应符合5.1规定; (29)应由供货方内独立于负责器件筛选的小组的组织,或者供货方以外的独立组织按附 录A20.1规定完成制造厂认证,除此之外,产品保证计划应符合附录A的要求; (30)统计抽样、试验及检验程序应符合附录B的规定; (31)外壳外形应符合附录C的规定; (32)按附录E的那些规定来指导微电路组划分,这样,可以把制造厂生产的所有器件(包 括现行微电路组没有的那些器件)分成适当的组。 (33)定制混合微电路的一般要求应符合附录G的规定。 1.2.1.1 制造厂的合格条件 合格的制造厂必须按GJB597的要求认证,并且至少有一种R器件已列入合格产品目录。
【与前一版的变化】

包含术语

微电子器件微电路、微电路模块或微电路元件的定义见GJB597。 每种微电子器件应由一独有的型号来识别。
失效模式系指根据微电子器件未达到规定的电要求和物理要求而定义为失效器件的拒收原因(根 据试验方法的拒收判据,失效模式是显而易见的,不必进行失效分析来验证失效模式。)
失效机理系指使微电子器件开始失效的固有缺陷或微电子器件退化到失效点的物理过程。失效机 理指出了导致微电子器件失效的质量缺陷,内部的、结构的或电性能上的弱点。适当时,也指出 了导致失效的外加应力的性质。
绝对最大额定值额定值、最大额定值或绝对最大额定值都是根据“绝对制”规定的,在任何使用或任何条件 下都不允许超过这些数值。在测试微电子器件时,如果该种测试已被确定是非破坏性的,并且 采取了限制器件击穿的预防措施以及避免采用那些能够引起永久退化的条件,那么,在测定器 件性能或批质量时可允许超过极限值。这些额定值都是极限值,超过了这些极限值,任何微电 子集成电路的工作能力均可遭到损坏。通常不能同时都达到全部绝对最大额定值。只有在任 何工作条件都不超过任何一个最大额定值,才允许某些额定值的组合。若无其他规定,电压、电 流和功率额定值都以大气环境温度25±3℃为依据。对于脉冲或其他类似性质的工作条件,电 流、电压和功率耗散额定值是时间和占空比的函数。为了不超过绝对最大额定值,设备设计者 有责任对每个额定值确定其平均设计值,此平均设计值低于该额定值乘以安全系数而得的绝 对值。这样,在电源电压、负载或设备本身制造发生变化的通常条件下都不会超过该绝对值。 规定的“试验额定值”(方法1005、1008、1015、5004和5005)仅适用于短期、加速应力贮 存、老化及寿命试验,而不得用作设备设计的依据。
最坏情况条件把偏压、输入信号、负载和环境的各种最不利的(依器件的功能而定)条件(在规定的工作 范围内)同时加到被试器件上,这样就构成了最坏情况条件。如果采用的全部测试条件并非都 取最不利的数值,则用术语“部分最坏情况条件”加以区别,并应同时指明与最坏情况的差异。 例如,电源电压、输入信号电平和环境温度的最小值及负载的最大值构成测试门输出电压的 “最坏情况条件”。在室温下,加电条件取最不利的数值,则构成“部分最坏情况条件”,并应注明 “在室温下”,以示区别。 3.5.1 加速试验条件 指采用一个或几个应力水平,这些应力水平超过最大额定工作或贮存应力水平,但小于或 等于“试验额定值”。
静态参数指直流电压、直流电流,或直流电压和/或直流电流的比值。
动态参数指电压、电流的有效值或随时间的变化值,或电压和/或电流的有效值的比率或随时间变 化值的比率。
开关参数指与输出从一个电平转换到另一个电平有关的参数;或与阶跃输入有关的参数。
功能试验指按顺序验证功能(真值)表通过、通不过的试验,或进行这种试验时,器件作为外电路的 一部分工作并试验全电路的工作。
采购机构采购机构是为商品、供应和服务签订合同的政府组织单位,或者当政府组织单位向采购单 位发出了专门的书面委任书,让他们作为采购机构的代理时,采购机构也可以是采购单位。作 为采购机构代理的采购单位无权批准放弃、背离合同或其他例外,除非政府组织给了他这样做 的特别书面委任书。

引用文件/被引文件

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老化时间-温度关系
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累计失效分布曲线
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锁定系统
线性器件锁定筛选试验
n沟MOSFET测试线路
p 沟 MOSFET 测试线路
3 测试曲线举例
试验电路举例
腐蚀试验的图形表示
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多孔性
非浸润
针 孔
4 脱浸润
外来物质
微电子器件试验方法和
2 焊接区附着情况
密封玻璃被暴露
玻璃表面裂纹
3 裂缝指向引线
径向裂缝
圆弧状裂缝
弯月形裂缝
密封玻璃中的孔隙
凹形密封
城堡状区与焊接区对准
从底部观察的城堡区对
划伤判据
孔隙判据
MOS 划伤和孔隙判据
键合区
MOS 栅对准
扩散缺陷
钝化层缺陷
划片和芯片缺陷
梁式引线芯片缺陷
键全尺寸
金属化层键合区上的键
梁式引线键合面积
梁式引线键合位置
介质隔离缺陷
薄膜电阻器的接触面积
划伤判据
端部
MOS 划伤和孔隙判据
孔隙判据
键合区
MOS 栅的判据
扩散缺陷
钝化层缺陷
划片和芯片缺陷
梁式引线芯片缺陷
键全尺寸
金属化层键合区上的键
9 梁式引线键合位置
芯片附着材料成球状

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