同源图形

非圆柱体微电子器件对	圆柱体微电子器件对施	1 抗潮湿试验图示
稳态	典型并激	3 环形振荡器
温控散热器	温控散热器	安装表面温度测量的典
采用有源器件的P—N结	采用P—N结隔离的集成	累计失效分布曲线
微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	锁定系统
线性器件锁定筛选试验	n沟MOSFET测试线路	p 沟 MOSFET 测试线路
3 测试曲线举例	试验电路举例	腐蚀试验的图形表示
多孔性	非浸润	针 孔
4 脱浸润	外来物质	微电子器件试验方法和
2 焊接区附着情况	密封玻璃被暴露	玻璃表面裂纹
3 裂缝指向引线	径向裂缝	圆弧状裂缝
弯月形裂缝	密封玻璃中的孔隙	凹形密封
城堡状区与焊接区对准	从底部观察的城堡区对	划伤判据
孔隙判据	MOS 划伤和孔隙判据	键合区
MOS 栅对准	扩散缺陷	划片和芯片缺陷
梁式引线芯片缺陷	键全尺寸	金属化层键合区上的键
梁式引线键合面积	梁式引线键合位置	介质隔离缺陷
薄膜电阻器的接触面积	划伤判据	端部
MOS 划伤和孔隙判据	孔隙判据	键合区
MOS 栅的判据	扩散缺陷	钝化层缺陷
划片和芯片缺陷	梁式引线芯片缺陷	键全尺寸
金属化层键合区上的键	9 梁式引线键合位置	芯片附着材料成球状
介质隔离缺陷	薄膜电阻器接触面积	激光修正钝化层缺陷
直角形的 L 修正	对未修正电阻器的划伤	6 对修正电阻器的划伤
对修正电阻器的划伤和	块状电阻器判据	最小键合拉力极限值
颗料位置、引出线、修	安装材料累积的接收和	外来安装材料的累积
4 底部凹切（注：角度	双列直插或扁平封装器	6 圆形或方形封装器件
多余材料的接收和拒收	圆柱形轴向引线器件的	陶瓷基片电容器缺陷
平行板电容器缺陷	叉指状淀积电容器缺陷	B 级器件的划伤判据
S 级器件的划伤判据	空隙判据	键合区
薄膜电阻器接触面积	元件固定	元件固定
芯片附着材料成球形	键合尺寸	B级金属化层键合区上
D级金属化层键合区上	梁式引线面积和位置	梁式引线芯片缺陷
5 网眼键合判据

相关图形

表4 轻缺陷项目及编码 GJB 5233-2003 枪械缺陷分类	被检件截取的Ⅲ号试块 GJB 1038.1-90 纤维增强塑料无损检验	从被检件截取的 III GJB 1038.1A-2004 纤维增强复合材料无损
钝化和扩散缺陷 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	钝化台面 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	有扩散保护环的钝化平 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方
有划片槽的氧化层钝化 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	没有划伤槽的氧化层钝 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	(100000X)在氧化层台 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方
氧化层缺陷（合格） GJB 128A-97 半导体分立器件试验方