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微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和
微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	稳态寿命试验时间--温
微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	I 高温贮存的时间温度
高温贮存的时间温度对	微电子器件试验方法和	温度循环试验条件
热冲击试验条件1)	椎差的执冲击液1）	试验条件A1的固定条件
微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	老化时间-温度关系
微电子器件试验方法和	最小键合强度	与各种金属化层反应室
样品芯片检查步骤	196m／s2加速度时试验	非破坏性键合拉力
最小扭矩极限值与设计	试验条件I的值	试验条件II的值(注)
微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和	微电子器件试验方法和
A组电试验1)	S级器件B组试验1)	a S级器件B组试验1)
B级B组试验1）	C组(关于芯片的试验)(	V D组(关于封装试验)(
微电子器件试验方法和	V E组(辐射强度保证试	微电子器件试验方法和
微电子器件试验方法和	晶片批验收试验	晶片批验收试验
器件评价摘要	I 元件评价摘要	微电路及半导体芯片评
无源元件评价要求	无源元件评价要求	封装评价要求
有关封装的D组试验	工艺控制摘要	器件筛选
器件筛选	质量-致性检验摘要	A组试验
A组试验	B组试验	C 组试验
与封装有关的D组试验	I 样本选取	器件评价摘要
元件评价摘要	微电路芯片评价要求	封装评价要求
有关封装的D组试验	工艺控制摘要	器件筛选
器件筛选	质量-致性评价摘要	A组试验
B组试验	C组试验

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