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基本信息

GJB 33.4-87
半导体分立器件详细规范GP、GT级QL12300A、QL12300D和13300H型硅单相桥式整流器详细规范
Detail specication for discrete semiconductor devices silicon single Phase bridge rectifier,Type QL12300A、QL12300D、QL13300H,class GP.GT
1987-08-07
1988-03-01
有效
电子工业部卫光电工厂;电子工业部标准化研究所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
二极管;半导体分立器件;单相桥式整流器;试验组;工序检查
【范围】 1.1 范围 本规范规定了电源频率≤3kHz设备用的硅单相桥式整流器的详细要求。器件按GJB33- 85的规定。提供两个产品保证等级。 1.2 外形尺寸 外形尺寸见图1。 {4fcf7981dde474901714b199ba8fb4e9.jpg}1.3 最大额定值 {caa256f56a6e8c3676c4f69d2aafadb2.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
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半导体分立器件整流二极管空白详细规范

包含图表

外形尺寸
最大额定值
A组检验
B组检验
B组检验
C组检验
C组检验
程序表
整流桥的结温试验
分立二极管测试
反向恢复时间的测试电
试验电路

标准反馈


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