基本信息

同源术语

·生物腐蚀：	由于微生物、昆虫和其它有害动物及植物的活动引起材料或设备变质损坏的现象。
·霉菌：	属于真菌范畴。是单细胞(少数)或多细胞结构的丝状体,但没有叶绿素的简单植物有机体的总称(见GB 11804第5.5条)。
·应力腐蚀：	由残余或外加应力导致的应变和腐蚀联合作用所产生的材料破坏(见GB 10123第3.28条)。
·应力腐蚀破裂：	由应力腐蚀所产生的材料破裂( GB 101 23第3.30条)。
·氢脆：	由于吸氢,使金属韧性或延性降低的过程(见 GB 101 23第3.37条)。
·析氢腐蚀：	以氢离子还原反应为阴极过程的腐蚀。
·穿晶破裂：	腐蚀裂纹穿过晶粒而扩展(见GB 101 23第3.3 2条)。
·晶间破裂：	腐蚀裂纹沿晶界而扩展(见GB 101 23第3.33条)。

相关术语

·金属射流：	聚能装药爆炸后药形罩内层形成的高速金属流。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属射流头部速度：	侵彻目标前金属射流前端的速度。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属射流断裂：	金属射流在运动中不连续的现象。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属之间的接触：	由于装配使紧密封接触的金属表面镀层面临一个特殊的问题，因为不相容金属之间的接触形成了电 解偶。这种电解偶通过原电池的作用将加速金属的腐蚀。为了对这种腐蚀提供需要的防护，金属间的偶 合应限制在有关规定允许的范围内。 （GJB 734A-2002 旋转开关(电路选择器，小电流容量)通用规范）
·金属半导体场效应晶体管(MESFET)：	指栅电极采用金属半导体整流接触的场效应晶体管。典型 MESFET 采用砷化镓制作，称为 GaAs MESFET。MESFET 分为耗尽型器件和增强型器件，分别记为 D－MESFET 和 E－MESFET。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·金属化层的粘附不良：	不是由于设计要求而出现的金属化层材料与下面基板的分离，空气桥和由设计切去金属层下部的情 况除外。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·多层金属化(导体 )：	用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间未用绝缘材料将它们彼此 隔离。“下层金属”指顶层金属下面的任一层金属(见图 2)。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·多层布线金属化层(导体 )：	用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间用绝缘材料(也称为层间 介质)彼此隔离(见图 3)。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·工作金属化层(导体)：	用作起互连作用的所有金属层或任何其他导电材料层，不包括金属化的划片槽、测试图、未连接的 功能电路元件、不使用的键合区和识别标志。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·外围金属：	所有直接与划片槽相连或位于划片槽上的金属。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）