同源图形

非圆柱形微电子器件对	非圆柱形微电子器件对	圆柱形微电子器件对施
耐湿试验图示	稳态	并行激励
环形振荡器	试验样品取向的示例	试验样品取向的示例
计算腐蚀面积的卡片	控温散热器	测量安装表面温度的典
采用有源器件的 P－N	采用 P－N 结隔离的集	累积失效分布曲线
Arrhenius 图 高温工	对数正态分布失效率	MOS 和双极数字电路电
锁定系统	线性电路锁定屏幕显示	n 沟 MOSFET 的测试线
p 沟 MOSFET 的测试线	测试曲线实例	运算放大器试验线路图
1 ADC 试验线路示例	ADC 试验装置示例	腐蚀过程示意图
多孔性	非浸润	直径为 0.64mm 的 13m
针孔	脱浸润	外来物质
双列封装结构弯曲的角	焊盘附着情况	城堡状区与焊接区的对
城堡状区的要求	玻璃表面裂纹	圆弧形裂纹
径向裂纹	劈形	表面气泡
表面下的气泡	凹形密封	P 沟 MOS 晶体管
多层金属化层	多层布线金属化层	S 级的金属化层划伤标
B 级金属化层划伤标准	MOS 划伤标准	S 级划伤标准
B 级划伤标准	金属走线端头	S 级 MOS 划伤标准
B 级 MOS 划伤标准	S 级空隙标准	B 级空隙标准
终端	MOS 空隙标准	键合区的术语
MOS 栅的对准	S 级和 B 级的耦合(空	扩散缺陷
钝化层缺陷	划片和芯片缺陷	划片和芯片缺陷
经激光修正的钝化层缺	介质隔离缺陷	介质隔离缺陷
膜电阻器的接触区	膜电阻器的接触面积	对未修正电阻器的划伤
对未修正电阻器材料的	修正电阻的划伤和空洞	块状电阻器标准
3 键合尺寸	在进入/引出金属化条	引线与引线交叉的 S
芯片附着材料呈球状	芯片附着材料呈球状	梁式引线键合面积和位
梁式引线键合面积和位	梁式引线芯片的缺陷	倒装芯片内部目检
最小键合拉力极限值	引线弯曲角度	键合点在同-水平面的
颗粒位置、引出端、修	键合材料累积的接收和	多余键合材料的累积
底切	双列直插或扁平封装器	圆形或矩形封装器件的
多余材料的接收和拒收	同轴引线器件中的间隙	元件固定
元件固定	失效判据	失效判据
键合尺寸

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表4 轻缺陷项目及编码 GJB 5233-2003 枪械缺陷分类	被检件截取的Ⅲ号试块 GJB 1038.1-90 纤维增强塑料无损检验	从被检件截取的 III GJB 1038.1A-2004 纤维增强复合材料无损
钝化和扩散缺陷 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	有扩散保护环的钝化平 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	(100000X)在氧化层台 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方
氧化层缺陷（合格） GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	台阶处类破裂缺陷(不 GJB 128A-97 半导体分立器件试验方	典型的试验板2.6.2 GJB 192-86 有可靠性指标的非密封
凸辦外缘允许有深度不 GJB 2316-95 薄壁软油箱规范