用户名: 密码: 登 录   个人中心   系统维护   用户注册  联系我们
当前位置 >首页 > 标准信息

全文阅读 全文下载 章节阅读

基本信息

GJB 128A-97
半导体分立器件试验方法
Test methods for semiconductor discrete devices
1997-05-23
1997-12-01
有效
王长福;顾振球;史信源;吴逵;蔡仁明;王静;金毓铨;贾新章;
中国电子技术标准化研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
器件;详细规范;金属化;试验条件;芯片
【范围】 1.1 主题内容 本标准规定了半导体分立器件(以下简称器件)的通用试验方法,包括军用条件下抗损害 能力的基本环境试验、机械性能试验和电特性测试。 1.2 适用范围 本标准适用于军用半导体分立器件。 1.3 应用指南 1.3.1 规定试验室中的试验条件要适当,使试验结果等效于现场使用结果,试验结果要能再 现。但这不能理解为试验条件完全等同某一地区真实的工作条件,这是因为只有在某一地区 实际工作的试验才是那个地区真实的工作试验。 用一个标准描述各种通用半导体器件规范中性质相似的试验方法时,就可以使这些方法 保持统一,从而可以充分利用设备、设施和节省工时。为了达到这一目标,要使每一种通用试 验方法适用于多种器件。 1.3.2 在详细规范中引用本标准的试验方法时应注明本标准编号、试验方法编号及所引用试 验方法中应规定的细节。
【与前一版的变化】

包含缩略语

ATE自动试验设备
BIST反向不稳定性冲击试验
DPA破坏性物理分析
DUT受试器件
ESD静电放电
ESDS静电放电敏感度
FET场效应晶体管
FIST正向不稳定性冲击试验
FWHM脉冲幅值的一半所对应的宽度
HTRB高温反偏
IF中频
IGBT绝缘栅双极型晶体管
LCC无引线片式载体
LINAC直线加速
MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管
PIND粒子碰撞噪声检测.

引用文件/被引文件

锡铅焊料
半导体分立器件第2部分:整流二极管
半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
半导体器件 分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
微波二极管测试方法
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管
锡焊用液态焊剂(松香基)
半导体分立器件文字符号
功率晶体管安全工作区测试方法
半导体分立器件总规范
电子及电气元件试验方法
半导体器件辐射加固试验方法 中子辐照试验
半导体器件辐射加固试验方法 γ 瞬时辐照试验
微电路生产线认证用试验 方法和程序
电子产品防静电放电控制大纲
测量设备的质量保证要求-计量确认体系
半导体分立器件2CK37型硅大电流开关二极管详细规范
半导体分立器件总规范
有可靠性指标的电磁继电器总规范
半导体分立器件失效分析方法和程序
半导体分立器件包装规范
固体继电器总规范
红外发射二极管总规范
半导体光电子器件筛选与验收通用要求
军用电子元器件破坏性物理分析方法
航天用电子元器件质量控制要求
半导体激光二极管总规范
半导体分立器件2CK36型硅大电流开关二极管详细规范
半导体分立器件3DG44型硅超高频低噪声晶体管详细规范
各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法
地地导弹贮备电池干态检测仪规范
军用电子元器件破坏性物理分析方法
军用密封元器件检漏方法实施指南
PIN、APD光电探测器件通用规范
晶体振荡器通用规范
有失效率等级的功率型电磁继电器 通用规范
半导体光电子器件 BT401型半导体红外发射二极管详细规范
半导体光电子器件 3DU32型半导体光敏晶体管详细规范
半导体光电子器件 GO11型半导体光电耦合器详细规范
半导体光电子器件 GO417型双向半导体光电耦合模拟开关 详细规范
半导体光电子器件 GH302-4型光电耦合器详细规范
半导体光电子器件 GH302型光电耦合器详细规范
半导体光电子器件 GD310A系列光电耦合器详细规范
半导体光电子器件 GO103型光电耦合器详细规范
半导体光电子器件 GH3201Z-4型光电耦合器详细规范
军用电子元器件筛选技术要求
铌酸锂集成光学器件通用规范
大功率电磁继电器通用规范
固体继电器通用规范
JRW-111M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-112M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-131M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-132M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-211M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-212M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-221M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-222M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-231M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-232M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-241M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JRW-242M型有失效率等级的微型电磁继电器详细规范
JMW-171M型有失效率等级的微型磁保持继电器详细规范
JMW-172M型有失效率等级的微型磁保持继电器详细规范
JMW-271M型有失效率等级的微型磁保持继电器详细规范
JMW-272M型有失效率等级的微型磁保持继电器详细规范
军用电子元器件失效分析要求与方法

相关标准

半导体分立器件试验方法
微电子器件试验方法和程序
半导体分立器件高频小功率晶体管空白详细规范
半导体分立器件低频大功率晶体管空白详细规范
半导体分立器件5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范
半导体分立器件功率开关晶体管空白详细规范
半导体分立器件开关二极管空白详细规范
半导体分立器件电压调整和电压基准二极管空白详细规范
半导体分立器件整流二极管空白详细规范
半导体分器件小功率开关晶体管空白详细规范

包含图表

非圆柱型半导体器件对
圆柱型半导体器件对加
ESD 分类试验电路
模拟器充电电压(Vs)档
ESD分类试验电路波形
ESD条件试验结极性
器件ESD失效阈值分类
电压要求
交流阻断电压电路
直流正向阻断电压电路
高温反偏试验电路
试验条件A,稳态反向偏
试验条件A,稳态反向偏
电压如
核查结温
试验条件D,间歇功率
温度循环试验条件
1灌注的二极管
监测任务循环
2监测任务循环
热冲击温度偏差值和建
全氟碳化合物液体的物
要求的试验顺序
对全氟碳液要求的物理
条件C和K的加压条件
激活参数
实际漏率
放射性同位素细检漏方
试验条件H1的规定条件
极限值
细检漏近似解
最小可检漏率
近似解
最大可检测漏率
清洗时间
盖帽材料和尺寸
漏率灵敏度
均匀分布的力
转动能力
使用垂直力
芯片剪切强度标准(最
高度与水汽温度的关系
可焊性评价准则
可焊性覆盖
多孔性
非浸润
针孔
弱浸润
外来物质
接受引出举例
非可焊引出墙的示例
接收可焊性绞线的示例
显示不宗教仪式全轮廓
最低键合强度
1键合拉力极限
键合拉力极限
典型的灵敏度测试装置
196m/s2加速度时,封
键合尺寸
翘起,破裂的键合
台式结构
台式结构-续图
叉指式结构
脊背式结构
脊背式结构-续图
抽样数和拒收数1)2)短
金属化划伤和空洞(扩
裂缝和破损
键合尺寸
翘起/破裂的键合
电阻器拒收判据
超过引出端至外壳距离
圆弧状裂纹
超过玻璃密封区1/3的
单-气泡或空洞
在同-线上的二个气泡
互连气泡
弯月形裂纹
劈形
芯片放大倍数要求
金属化区划痕和空洞(
钝化和扩散缺陷
裂缝和缺损
键合尺寸
翘起/撕裂的键合
钝化台面
有扩散保护环的钝化平
有划片槽的氧化层钝化
没有划伤槽的氧化层钝
玻璃裂纹及缺损
封装畸形
焊料凸出
触须嵌入
尖端接触
芯片边缘接触
钩形接触
点接触
S”形触须压缩高度
“C”形触须弯曲压缩
芯片准位芯片准位

标准反馈


  • 问题类型:
    反    馈: