同源图形

非圆柱形微电子器件对	非圆柱形微电子器件对	圆柱形微电子器件对施
耐湿试验图示	并行激励	环形振荡器
试验样品取向的示例	试验样品取向的示例	计算腐蚀面积的卡片
控温散热器	测量安装表面温度的典	采用有源器件的 P－N
采用 P－N 结隔离的集	累积失效分布曲线	Arrhenius 图 高温工
对数正态分布失效率	MOS 和双极数字电路电	锁定系统
线性电路锁定屏幕显示	n 沟 MOSFET 的测试线	p 沟 MOSFET 的测试线
测试曲线实例	运算放大器试验线路图	1 ADC 试验线路示例
ADC 试验装置示例	腐蚀过程示意图	多孔性
非浸润	直径为 0.64mm 的 13m	针孔
脱浸润	外来物质	双列封装结构弯曲的角
焊盘附着情况	城堡状区与焊接区的对	城堡状区的要求
玻璃表面裂纹	圆弧形裂纹	径向裂纹
劈形	表面气泡	表面下的气泡
凹形密封	P 沟 MOS 晶体管	多层金属化层
多层布线金属化层	S 级的金属化层划伤标	B 级金属化层划伤标准
MOS 划伤标准	S 级划伤标准	B 级划伤标准
金属走线端头	S 级 MOS 划伤标准	B 级 MOS 划伤标准
S 级空隙标准	B 级空隙标准	终端
MOS 空隙标准	键合区的术语	MOS 栅的对准
S 级和 B 级的耦合(空	扩散缺陷	扩散缺陷
钝化层缺陷	划片和芯片缺陷	划片和芯片缺陷
经激光修正的钝化层缺	介质隔离缺陷	介质隔离缺陷
膜电阻器的接触区	膜电阻器的接触面积	对未修正电阻器的划伤
对未修正电阻器材料的	修正电阻的划伤和空洞	块状电阻器标准
3 键合尺寸	在进入/引出金属化条	引线与引线交叉的 S
芯片附着材料呈球状	芯片附着材料呈球状	梁式引线键合面积和位
梁式引线键合面积和位	梁式引线芯片的缺陷	倒装芯片内部目检
最小键合拉力极限值	引线弯曲角度	键合点在同-水平面的
颗粒位置、引出端、修	键合材料累积的接收和	多余键合材料的累积
底切	双列直插或扁平封装器	圆形或矩形封装器件的
多余材料的接收和拒收	同轴引线器件中的间隙	元件固定
元件固定	失效判据	失效判据
键合尺寸

相关图形

稳态长期光化学效应日 GJB 150.7-86 军用设备环境试验方法	程序 II--稳态 试验 GJB 150.7A-2009 军用装备实验室环境试	稳态淋雨或滴水试验的 GJB 150.8A-2009 军用装备实验室环境试
交流电最大压变频率注 GJB 181A-2003 飞机供电特性	280V直流系统欠压极限 GJB 181A-2003 飞机供电特性	稳态长期光化学效应日 GJB 1921-94 军用微型计算机系统用
混合集成电路HB系列DC GJB 2438.1-2001 混合集成电路HB系列DC	稳态量热计法半球发射 GJB 2502.3-2006 航天器热控涂层试验方	稳态长期光化效应试验 GJB 367.2-87 军用通信设备通用技术
图 4 稳态扭矩要求 GJB 5195-2003 航空燃气涡轮起动机通