| ·半绝缘： | 介于绝缘体与半导体之间的导电能力的描述，通常认为半绝缘体的电阻率大于10
6
cm。 |
| ·电阻率： | 即电阻系数，系材料固有性质，由材料中沿电流方向的电位梯度与电流密度之比决定。温
度的变化能引起电阻率的变化，尤其是对半绝缘材料，其对温度的依赖关系为：
T
ρ ∞exp(AE/
kT)，
T
ρ 表示绝对温度T下的电阻率，k为玻尔兹曼常数，AE为表观激活能，仲裁时应取AE＝
0.75eV。 |
| ·霍尔系数： | 在样品上施以相互垂直的电场和磁场，则带电载流子将向第三个相互垂直的方向偏转，在
样品上就会出现一个横向电势差，即为霍尔电压，如图1所示，霍尔系数就是横向电场与电流
密度和磁通密度的乘积之比，即：
B
z
——磁通密度(z方向)，T。
主要靠电子导电的n型半导体材料霍尔系数是负的，而主要靠空穴导电的p型半导体材
料霍尔系数是正的。但半绝缘材料导电类型不能简单从霍尔系数的正负来判断，测量只给出表
观值。一般半绝缘砷化镓的R
H
为负，其结果应进行双载流子导电分析。
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| ·霍尔迁移率： | 霍尔迁移率由式(2)通过霍尔系数和电阻率计算得出，主要由晶格振动及电离杂质散射等
因素所决定。式(3)给出霍尔迁移率与漂移迁移率之间的关系，其中r为由散射机构、能带结
构、杂质浓度、温度等决定的散射因子。
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| ·载流子： | 导体或半导体的导电作用是通过带电粒子的运动来实现的，这种电荷的载体称为载流子。
半导体中的载流子是带负电的电子和带正电的空穴。 |
| ·平均值： | 表示测量参数的集中趋势的测度，对于n个被测样品，被测参数x
i
，其平均值为：
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| ·标准差： | 描述所测参数离散程度的统计量，反应数据波动的大小。
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| ·相对标准偏差： | 标准差与平均数的比值，无量纲。反映相对波动的大小。 |
| ·热稳定性： | 热处理前后材料电参数的相对变化量。 |
| ·表面电阻： | 用来表征半导体材料表面薄层导电状况，在数值上它等于一正方形两对边间所加电压和
通过电流之比。对环形电极样品，表面电阻
ρ 符合下面关系。
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| ·二次离子质谱术： | 用质谱仪测量靶受粒子(离子或中性粒子)轰击所发射的二次离子的质荷比的一种技术。 |