·抛物面天线: | 以抛物面形的圆盘作反射器的-种高增益天线。 (GJB 727-89 遥测系统术语) |
·抛物面反射器: | 由旋转抛物面构成的反射器。 (GJB 727-89 遥测系统术语) |
·碰撞: | 比冲击较弱的多次重复的能量激励。 (GJB 727-89 遥测系统术语) |
·剂量率翻转的阈值: | 能引起下述任一种现象出现的剂量率:
a) 瞬态输出翻转,即处于工作状态的数字集成电路,输出电压发生变化,而高于或低于规定的逻
辑电平(瞬态电压判据见 3.2),但在辐射脉冲停止作用后,电路立即恢复至辐射前的状态。
b) 数据存贮或逻辑状态翻转,有一个或多个内部存贮或逻辑单元的状态发生变化,而且在辐射脉
冲作用后并不能立即得到恢复。但是,如果在输入端施加一个与原先用来建立辐射前状态时相
同的逻辑信号序列,可使电路恢复至辐射前的条件状态。
c) 动态翻转,正处于工作状态的器件受辐射时,其正常输出或存贮的测试图形发生变化。翻转响
应可取决于辐射脉冲与器件工作周期之间精确的时间关系。由于工作时需要许多时钟信号,使
用宽辐射脉冲是必需的。 (GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序) |
·翻转阈值: | 器件翻转的最小剂量率。然而,记录中所测得的翻转阈值应是最大剂量率,该剂量率是器件未翻转
且输出波形和(或)电源电流的瞬态干扰仍保持在规定极限范围内的情况下测得的数值。 (GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序) |
·封装粒子流: | 来自封装材料(即盖板、芯片材料、密封材料及可选的 α 粒子防护层)杂质的 α 粒子在单位时间作
用于单位芯片表面面积上的总数。(cm2·h)-1。 (GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序) |
·源粒子流: | 采用经校准的粒子源,单位时间内作用于单位芯片表面的 α 粒子总数。(cm2·h)-1。 (GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序) |
·阈值: | 最小输入量的最大绝对值。由该输入量所产生的输出量至少应等于按标度因数所期望输
出的50%(见图2)。 (GJB 585-88 惯性技术术语) |
·激光阈值: | 激光陀螺仪中,激光增益刚好超过损耗的放电电流。 (GJB 585-88 惯性技术术语) |
·抛物面反射器天线: | 由抛物面反射器和位于焦点上的照射器两部分组成的面天线。 (GJB 727A-98 航天测控系统术语与缩略语) |