同源图形

试验条件	试验条件	稳态寿命试验的时间-
稳态寿命试验的时间-	稳定性烘焙(试验条件C	温度循环试验条件
过碳氟化合物液体的物	过碳氟化合物液体的物	热冲击的温度及容差和
过碳氟化合物液体的物	试验条件A1的固定条件	失效判据
同位素细检漏方法的试	试验条件C1加压条件	注入时间
老炼试验的时间-温度	老炼试验的时间-温度	高度与水汽温度的关系
可焊性评价准则	GaAs微波器件要求的高	最小键合强度
各种结构金属化层反应	196m/s2加速度时试验	非破坏性键合拉力
设计封口面积对应的最	试验条件1的值	试验条件2的值
芯片附着强度的判据(	模拟器充电电压(VS)档	试验引线的组合1）2）
器件的ESD失效阈值分	S级、B级和B1级器件筛	S级、B级和B1级器件筛
S级、B级和B1级器件筛	S级、B级和B1级A组电	S级、B级和B1级A组电
S级器件B组试验1)	S级器件B组试验1)	S级器件B组试验1)
B级和B1级B组试验1)	B级和B1级B组试验1)	C组检验(与芯片有关的
D组检验(与封装有关的	D组检验(与封装有关的	D组检验(与封装有关的
E组(辐射强度保证试验	E组(辐射强度保证试验	极限试验的样本大小
晶片批验收试验	晶片批验收试验	晶片批验收试验
被替代的方法	样本选择	元件评价摘要
封装评价要求	封装评价要求	器件筛选
器件筛选	A组电测试	A组电测试
B组试验	C组试验	D组试验
E组(辐射强度保证)试	认证和验收试验的要求	认证和验收试验的要求
2离子杂质要求	完成-个K行多项式，LF	故障等效类型中的典型
用“故障仿真程序2”	采用”故障仿真程序3	用于PM中的测试结构
在PM中建议采用的-组	在PM中建议采用的-组	工艺检测点
PM评价	晶片批验收要求	器件评价摘要
元件评价摘要	微电路芯片评价要求	封装评价要求
有关封装的D组试验	工艺控制摘要	器件筛选
质量-致性评价摘要	A组试验	A组试验
B组试验	C组试验

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