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基本信息

GJB 548A-96
微电子器件试验方法和程序
Test methods and procedures for microelectronics
1996-10-03
1997-05-01
有效
王静;胡燕;张德胜;薛仁经;李燕荣;张杏暖;郭晓萱;
中国电子技术标准化研究所;军用电子元器件管理中心;航天工业总公司第502所;航天工业总公司西安微电子技术研究所;国营第777厂;
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
器件;试验条件;金属化层;玻璃钝化;引线
【范围】 1.1 主题内容 本标准规定了微电子器件统一的试验方法、控制和程序,包括为确定对军用及空间应用的 自然因素和条件的抗损坏能力而进行的基本环境试验;物理和电试验;设计、封装和材料的限 制;标志的一般要求;工作质量和人员培训程序;以及为保证这些器件满足预定用途的质量与 可靠性水平而必需采取的其他控制和限制。 1.2 适用范围 本标准适用于微电子器件。 1.3 应用指南 1.3.1 规定了在实验室中对某等级器件应施用的适当试验条件,使其提供的试验结果等效于 现场实际工作条件下的结果并且具有重复性。但不能把本标准所规定的试验解释成它们严格 地、确切地代表了任何地理的或外层空间位置的实际工作,因为只有在特定用途和位置下的真 实的工作试验才是在相同条件下的实际的性能试验。 1.3.2 把军用微电子器件规范中出现的性质相近的试验方法规定在一个标准中。这样就能使 这些方法统一,并可充分利用仪器、工时和试验设备。为了达到这一目的,必须使每个通用试 验方法具有广泛的适用性。 1.3.3 本标准所规定的微电子器件的环境试验、物理试验及电试验方法,在适当时,也适用于 已批准的军用规范所未包括的微电子器件。 1.3.4 为了保证按本标准筛选的相同等级的所有器件具有一致的质量和可靠性,提供了相同 水平的物理试验、电试验和环境试验,生产控制,工作质量以及各种材料。
【与前一版的变化】

包含术语

器件单片、多片、膜和混合集成电路以及构成电路的诸元件。
额定值用于限定工作条件的任何电的、热的、机械或环境的量值,在这样的工作条件下,元器件、 机器、设备、电子装置等能良好地工作。 注:“额定值”是一个通用的术语。还应见“额定傅(极限值)”
额定值(极限值)确定极限能力或极限条件的一种额定值,超过它就有可能损坏器件 。 注:① 极限条件可以是最大的,也可以是最小的,分别称为最大额定值和最小额定值。 ② 额定值是以绝对最大额定值体系为基础的。 ③ 为“试验额定值”(方法1005A、1008A、1015A、5004A和5005A)所规定的值仅适用于短期、加速应力贮存、老炼及 寿命试验,而不得作为设备设计的依据。
最坏情况条件把偏压、输入信号、负载和环境的种种最不利的(依器件的功能而定)数值(在规定的工作 范围内)同时加到被试器件上,就构成了最坏情况条件。不同参数的最坏情况可能是不一样 的。如果采用的全部测试条件并非都取最不利的数值,则用术语“部分最坏情况条件”加以区 别,并应同时指明与最坏情况的偏离。 例如,电源电压、输入信号电平和环境温度的最小值及负载的最大值可能构成测量门输出 电压的“最坏情况条件”。在室温下,加电条件取最不利的数值,则构成“部分最坏情况条件”, 这时应注明“在室温下”,以示区别。
加速试验条件采用一个或几个应力水平,其超过最大额定工作或贮存应力水平,但不大于“试验额定 值”。
静态参数用来表示器件直流特性的电参数。 例如:直流电压、直流电流或直流电压比、直流电流比,或直流电压与直流电流之比。
动态参数用来表示器件交流特性的电参数。 例如:电压或电流的方均根值及其随时间变化的值,或它们之间的比。
开关参数输出从一个电平转换到另一个电平或对阶跃输入的响应有关的参数。
功能试验按顺序实现功能(真值)表的通过、通不过试验,或进行这种试验时,器件作为外线路的一 部分而工作并同时试验全线路的工作情况。

引用文件/被引文件

锡铅焊料
半导体集成电路文字符号 电参数文字符号
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包含图表

非圆柱体微电子器件对
圆柱体微电子器件对施
试验条件
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耐湿试验图示
调整后的总试验时间
稳态寿命试验的时间-
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稳态
典型并滶
环形振荡器
稳定性烘焙(试验条件C
引线固定于封装侧面或
引线固定于封装底部
试验样品取向的实例
计算腐蚀面积的卡片
温度循环试验条件
过碳氟化合物液体的物
过碳氟化合物液体的物
热冲击的温度及容差和
温度差的变化率
外推到加热功率终止时
外推到加热功率终止时
平均结温
热阻
热阻
温控散热器
安装表面温度测量的典
采用有源器件的P-N结
采用P-N结隔离的集成
过碳氟化合物液体的物
试验条件A1的固定条件
示踪气体(氦)的测量
失效判据
激活压力和吸收时间
实际的漏率
同位素细检漏方法的试
试验条件C1加压条件
加压维持时间
注入时间
老炼试验的时间-温度
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中值寿命和
累计失效分布曲线
Arrhenius高温工作试
对数正态分布失效率
电离辐射试验程序流程
锁定系统
线性电路锁定屏幕显示
p沟为MOSEFT的测试线
测试曲线实例
腐蚀试验过程示意图
软错误率
SER
SER2
高度与水汽温度的关系
可焊性评价准则
多孔性
非浸润
直径为0.64mm的13mm长
针孔
脱浸润
外来物质
双列封装结构弯曲的角
焊区附着情况
城堡状区与焊接区的对
城堡状区的要求
玻璃层表面裂纹
圆弧状裂纹
径向裂纹
劈形
表面气泡
表面下气泡
凹形密封
GaAs微波器件要求的高
P沟MOS晶体管
多层金属化层
多层布线金属化层
S级的金属化层 划伤标
B级和B1级金属化层划
MOS划伤标准
S 级划伤标准
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S 级 MOS 划伤标准
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激光修正的钝化层缺陷

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