同源图形

非圆柱体微电子器件对	圆柱体微电子器件对施	耐湿试验图示
稳态	典型并滶	环形振荡器
引线固定于封装侧面或	引线固定于封装底部	试验样品取向的实例
计算腐蚀面积的卡片	温控散热器	安装表面温度测量的典
采用有源器件的P－N结	采用P－N结隔离的集成	累计失效分布曲线
Arrhenius高温工作试	对数正态分布失效率	电离辐射试验程序流程
锁定系统	线性电路锁定屏幕显示	p沟为MOSEFT的测试线
测试曲线实例	腐蚀试验过程示意图	多孔性
非浸润	直径为0.64mm的13mm长	针孔
脱浸润	外来物质	双列封装结构弯曲的角
焊区附着情况	城堡状区与焊接区的对	城堡状区的要求
玻璃层表面裂纹	圆弧状裂纹	径向裂纹
劈形	表面气泡	表面下气泡
凹形密封	P沟MOS晶体管	多层金属化层
多层布线金属化层	S级的金属化层 划伤标	B级和B1级金属化层划
MOS划伤标准	S 级划伤标准	B 级和 B1 级划伤标准
金属走线端头	S 级 MOS 划伤标准	B 级和 B1 级
S级空隙标准	B级和B1级的空隙标准	终端
MOS 空隙标准	键合区的术语	MOS栅的对准
S级和B级、B1级耦合(	MOS 栅的对准	扩散缺陷
扩散缺陷	钝化层缺陷	划片和管芯缺陷
划片和管芯缺陷	激光修正的钝化层缺陷	介质隔离缺陷
介质隔离缺陷	膜电阻器的接触面积	膜电阻器的接触面积
对未修正电阻器的划伤	对未修正电阻器材料的	修正电阻的划伤和空洞
块状电阻器标准	键合尺寸	在进入/引出金属化条
引线与引线交叉的S级	芯片附着材料成球状	梁式引线面积和位置
梁式引线管芯的缺陷	最小键合拉力极限值	引线弯曲角度
键合点在同-水平面的	颗粒位置、引出线、修	键合材料累积的接收和
外来键合材料的累积	底 切	双列直插或扁平封装器
圆形或方盒式晶体管器	过剩材料的接收和拒收	同轴引线器件中的间隙
元件固定	元件固定	芯片附着材料成球形
键合尺寸	B级和B1级金属化层引	B级和B1级金属化层引
S级金属化弓l出端上的	粱武引线面积和位置	梁式引线芯片缺陷
网眼键合标准

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2 设计和结构电阻器的 GJB 244.3-87 RJK54型有可靠性指标	设计和结构电阻器的设 GJB 744A.4A-2001 RJK55型有质量等级的	设计和结构电阻器的设 GJB 244.5A-2001 RJK56型有质量等级的
界面本标准界面的 GJB 1446.84-93 舰船系统界面要求 保