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【标准号】: GJB 762.2-89
【中文名称】: 半导体器件辐射加固试验方法γ总剂量辐照试验
【英文名称】: Testing methods for radiation haraness of Semiconductor devices testing for gamma total dose irradiation
【发布时间】: 1989-08-24
【实施时间】: 1989-12-31
【有效性】: 有效
【起草人】
【起草单位】: 核工业部九院十所
【提出单位】: 中国核工业总公司
【归口单位】
【批准单位】: 国防科学技术工业委员会
【分类】
【备案号】
【自动关键词】: 泄漏电流;电参数测试;原位测试;总剂量辐照;半导体器件

【范围】	1.1 主题内容本标准规定了半导体器件总剂量电离辐射效应的试验方法和试验要求。 1.2 适用范围半导体器件包括分立器件和微电路。辐照源为钴60γ射线源和电子加速器。本方法仅适用于稳态辐照，不适用于脉冲类型辐照。用本方法试验可使受辐照器件电气性能严重退化。
【与前一版的变化】

原位测试：	当辐照达到某个预定剂量进行电参数测试时，器件保留在受辐照位置。除非另有规定，在整个辐照过程中，除了在电参数测试的瞬间(一般为几秒)，器件连续加有偏置。
移地测试：	受试器件从辐照位置移开，进行电参数测试。
电离辐照损伤退火：	负界面态的产生和来自硅中隧道电子与硅一二氧化硅界面附近由电离而累积的空穴电荷复合，使电离辐照损伤部分或全部恢复。