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基本信息

GJB 4026-2000
铌酸锂集成光学器件通用规范
LiNbO3integrated optics devices,general specification for
2000-04-24
2000-09-01
有效
张维叙;杨德伟;阳建新;任学章;耿凡;
军标中心;北京航空航天大学;电子信息部44所;航天33所;航天8358所;
总装备部电子信息基础部
中国人民解放军总装备部
详细规范;工作模式;光电性能;集成光学器件;试验结果
【范围】 1.1 主题内容 本规范规定了铌酸锂集成光学器件的技术要求和质量保证规定。 1.2 适用范围 本规范适用于单波导相位调制器(以下简称Ⅰ类)、Y 波导多功能器件(以下简称Ⅱ类)、光 强度调制器(以下简称Ⅲ类),利用其它材料制造的具有类似功能的集成光学器件也可参照使 用。
【与前一版的变化】

包含术语

插入损耗(Li)在光纤系统中插人器件所引起的总光能损失。其值为插人器件与未插入器件时光路输出 光功率的比值,以分贝数(dB)表示。
分光比(D)波导分光器件各分支输出光功率的比。
芯片偏振消光比(ED)在入射工作模式和非工作模式光功率相同的情况下,波导传输工作偏振模、抑制非工作偏 振模的能力。其值为输出光中工作模式光功率和非工作模式光功率的比值,以分贝数(dB)表 示。
偏振串音(Kp)光在器件中传输时,相互垂直的偏振模式之间总的串音程度。其值为保偏尾纤输出端串 音光功率与传输主偏振模光功率的比值,以分贝数(dB)表示。
半波电压(Vπ)电光调制器在直流或低频电调制下,输出光移动π弧度相位所需的外加电压。
带宽(B)器件的光调制度(相位或强度等)下降为最大光调制度的 50%(-3dB)时所对应的频率范 围。
相位调制残余强度调制(Mir)电光相位调制器工作时伴随的光强度调制。其值为强度调制的峰-峰值与未调制时光强 值的比值。
背向光反射(Rpb)器件反射光返回人射点的光功率与入射光功率的比值,用分贝数(dB)表示。
强度消光比(Em)光强度调制器最大输出光强与最小输出光强的比值,用分贝数(dB)表示。
调制器电反射(Re)器件反射信号的电压与输入信号的电压的比值。

引用文件/被引文件

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耐环境中性圆形光纤光缆连接器总规范
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包含图表

检验项目及顺序
插入损耗试验框图
插入损耗
分光比试验框图
分光比
偏振消光比试验框图
偏振消光比试验框图
消光比
尾纤偏振串音试验框图
偏振串音
Ⅰ类器件半波电压试验
Ⅱ类器件半波电压试验
Ⅲ类器件半波电压试验
Ⅰ类器件带宽试验框图
Ⅱ类器件带宽试验框图
Ⅲ类器件带宽试验框图
相位调制残余强度调制
相位调制残余强度调制
背向光反射试验框图
背向光反射
强度消光比
调制器电反射试验框图
强度调制器电反射

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