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基本信息

GJB/Z 299B-98
电子设备可靠性预计手册
Reliability prediction handbook for electronic equipment
1998-07-27
1999-01-01
有效
杨家铿;李红彬;莫郁薇;张增照;张彤法;苏振华;王宛平;钟开云;雷鸣;彭成信;杨培亮;何小龙;王庚林;潘吉安;傅展洪;张立雄;
电子工业部第五研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
中国人民解放军总装备部
基本失效率;工作失效率;总规范;失效率模型;质量系数
【范围】 1.1 主题内容 本指导性技术文件为电子设备和系统的可靠性预计提供了基本数据和方法。 1.2 适用范围 本指导性技术文件适用于电子设备和系统的可靠性预计,其中元器件应力分析可靠性预 计法适用于产品研制的详细设计,此时已具备了。详细的元器件清单,并确定了元器件的应力; 元器件计数可靠性预计法适用于产品研制的初步设计等需要较快速预计的场合。 本指导性技术文件所提供的元器件失效率数据仅适用于在正常工作条件下工作的电子设 备可靠性预计;凡过应力使用,超过基本失效率表所列值的任何外推(如超过规定的温度范围, 或电应力比大于1或等于0)都是无效的。 本指导性技术文件提供的数据未考虑核辐射环境,也未考虑电离辐射的影响。
【与前一版的变化】

包含术语

元器件基本失效率:元器件在电应力和温度应力作用下的失效率,是元器件未计其质量控制等级、环境应力、 应用状态、性能额定值和种类、结构等影响因素,仅计温度和电应力比(工作电应力/额定电应 力)影响时的失效率。 基本失效率通常是用温度(T)和电应力比(S)对元器件失效率影响的关系模型来表示。
元器件工作失效率:元器件在应用环境下的失效率。除个别元器件类别外,工作失效率都包含基本失效率和 温度、电应力之外的元器件质量控制等级、环境应力、应用状态、性能额定值和种类、结构等失 效率影响因素。即,通常由基本失效率乘以上述各因素的调整系数来表示。
环境类别:电子设备正常工作的环境类型。
环境系数:不同环境类别的环境应力(除温度应力外)对元器件失效率影响的调整系数。
元器件质量等级:元器件装机使用之前,按产品执行标准或供需双方的技术协议,在制造、检验及筛选过程 中其质量的控制等级。
质量系数:不同质量等级对元器件工作失效率影响的调整系数。
通用工作环境温度:元器件在某一环境类别下工作时其周围环境温度的通用值。在元器件计数可靠性预计时 采用此通用值。
通用失效率:元器件在某一环境类别中,在通用工作环境温度和常用工作应力下的失效率。在元器件 计数可靠性预计时使用此通用失效率。

包含缩略语

CCD:电荷耦合器件
CMOS:互补金属氧化物半导体器件
CMOS/SOS:在蓝宝石硅片上制作的CMOS器件
DIP:双列直插封装
DRAM:动态随机存取存储器
ECL:发射极耦合逻辑电路
EEPROM:电可擦可编程序只读存储器
EPROM:可擦可编程序只读存储器
HCMOS:高速CMOS器件
HCTMOS:高速、TTL兼容的CMOS器件
HTL:高抗干扰逻辑电路
HITL:高速晶体管晶体管逻辑电路
LSTTL:低功耗肖特基晶体管晶体管逻辑电路
MNOS:金属氮化物氧化物半导体器件
MOS:金属氧化物半导体器件
NMOS:N沟道金属氧化物半导体器件
PAL:可编程阵列逻辑电路
PIN:移相开关
PMOSP:沟道金属氧化物半导体器件
PLA:可编程逻辑阵列电路
PROM:可编程序只读存储器
RAM:随机存取存储器
ROM:只读存储器
SAW:声表面波器件
SRAM:静态随机存取存储器
STTL:肖特基晶体管晶体管逻辑电路
TTL:晶体管晶体管逻辑电路
UVEPROM:紫外光可擦可编程序只读存储器

引用文件/被引文件

电子设备用固定电容器 第-部分:总规范
无金属化孔单、双面印制板技术条件
有金属化孔单、双面印制板技术条件
多层印制板技术条件
印制板 第10倍分:有贯穿连接的刚挠双面印制板规范
半导体器件分立器件和集成电路总规范(可供认证用)
直流固定金属化纸介电容器总规范
电子设备用固定电阻器 第-部分:总规范
音响设备用圆形连接器总规范(可供认证用)
阴极射线管总规范(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第八部分:分规范:1 类瓷介固定电容器(可供认证用)GB 5968-86 电子设备用固定电容器 第九部分:分规范:2 类瓷介固定电容器(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第四部分:分规范:非固体或固体电
空间电荷控制电子管总规范
电子设备用固定电容器 第五部分:分规范:额定电压不超过
电子设备用固定电容器 第11部分:分规范:金属箔式聚乙烯
航天用标准太阳电池
地面用标准太阳电池
通用硬同轴传输线及其法兰连接器总规范
直热式负温度系数热敏电阻器总规范(可供认证用)
直热式阶跃型正温度系数热敏电阻器总规范(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第十五部分:分规范:非固体或固体电解质钽电容器(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第二部分:分规范:金属化聚酯膜介质直流固定电容器(可供认证用)
膜集成电路和混合膜集成电路总规范(可供认证用)
视频同轴连接器总规范
电子设备用固定电容器 第8部分(1):分规范:1类高压瓷介电容器(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第9部分(1):分规范:2类高压瓷介电容器(可供认证用)
电子设备用固定电容器 第10部分(1):分规范:多层片状瓷介电容器(可供认证用)
彩色广播电视接收机用回扫变压器总技术条件
镉镍碱性蓄电池
镉镍碱性蓄电池组
电子设备用机电开关 第1部分:总规范(可供认证用)
电子设备用键盘开关 第1部分:总规范(可供认证用)
带状电缆连接器总规范
电子设备用固定电容器 分规范:1类高功率瓷介电容器
电子设备用压敏电阻器 第1部分:总规范(可供认证用)
光谱标准太阳电池
镉镍圆柱密封碱性蓄电池总规范
射频同轴连接器总规范
摄像管总规范(可供认证用)
膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序)(可
X射线管总规范(可供认证用)
石英晶体元件总规范(可供认证用)
石英晶体振荡器总规范(可供认证用)
光电倍增管总规范(可供认证用)
半导体器件光电子器件分规范(可供认证用)
单晶硅太阳电池总规范
脉冲闸流管总规范(可供认证用)
磁控管总规范(可供认证用)
旁热式负温度系数热敏电阻器总规范(可供认证用)
光电管总规范(可供认证用)
荧光显示管总规范(可供认证用)
辉光放电管总规范
陆地用太阳电池组件总规范
海上用太阳电池组件总规范
闸流管与充气整流管总规范
变象管和象增强管总规范
充气稳压管总规范
有贯穿连接的单、双面绕性印制板技术条件
无贯穿连接的单、双面绕性印制板技术条件
通信和电子设备用变压器和电感器总规范
镉镍碱性蓄电池总规范
抑制射频干挠整件滤波器 第-部分:总规范
电子设备用电源变压器和滤波扼流圈总技术条件
电子设备用电位器 第-部分:总规范
电子设备用膜固定电阻网络 第1部分:总规范
半导体分立器件总规范
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范
有可靠性指标的电磁继电器总规范
小圆形快速分离耐环境电连接器总规范
D系列矩形连接器总规范
X型气密封耐辐照圆形电连接总规范
耐环境线簧孔矩形电连接器总规范
压接接触矩形电连接器总规范
有可靠性指标的云母电容器总规范
有可靠性指标的非密封多层片状瓷介电容器总规范
有可靠性指标的薄膜固定电阻器总规范
机械滤波器总规范
合成电位器总规范
制板通用规范
有可靠性指标的和没有可靠性指标的1类瓷介电容器总规范
镉镍圆柱密封碱性蓄电池总规范
野战镉镍密封蓄电池组通用技术条件
半导体集成电路总规范
时环境快速分离圆形电连接器总规范
耐环境快速分离高密度小圆形电连接器总规范
螺纹连接圆形电连接器总规范
热敏电阻器总规范
有可靠性指标的铝电解电容器总规范
有可靠性指标的模制射频固定电感器总规范
射频同轴连接器、转接器总规范
射频同轴连接器总规范
有可靠性指标的塑料膜(或纸-塑料膜)介质(金属、陶瓷或玻璃
有可靠性指标的非固体电解质固定钽电容器总规范
旋转开关(电路选择器、小电流容量)总规范
密封钮子开关总规范
可靠性模型的建立和可靠性预计
线绕预调电位器总规范
非线绕预调电位器总规范
膜固定电阻网络总规范
电子管总规范
有可靠性指标的2类瓷介电容器总规范
防水快速分离重负荷电连接器总规范
有可靠性指标的塑料膜或金属化塑料膜介质直流或交直流非金
多单元按钮开关总规范
同轴、带状或微带传输线用的射频同轴连接器总规范
电磁继电器总规范
有可靠性指标的优质金属化塑料膜介质直流、交流或交、直流金
非固体电解质钽电容器总规范
云母电容器总规范
类瓷介电容器总规范
空间用单晶硅太阳电池总规范
真空继电器总规范
干簧继电器总规范
石英晶体滤波器总规范
压电陶瓷滤波器总规范
固体继电器总规范
射频干扰滤波器总规范
非气密封固体电解质钽电容器总规范
阴极射线管用偏转线圈总规范
混合集成电路总规范
非密封钮子开关总规范
RJ金属膜电阻器
计数管总技术条件
制板通用技术要求和试验方法*
半导体集成电路总技术条件
高可靠姆指式(超小型)收讯放大管总技术条件
高压整流管总技术条件
微波气体放电管总技术条件
低噪声行波管总技术条件
功率行波管总技术条件
“O”型返波管总技术条件
反射速调管总技术条件
射频连接器总技术条件*
半导体三极管总技术条件*
型玻璃釉电容器技术条件
旋转片式开关(低电负荷)总技术条件*
碱性镉镍单体及组合蓄电池*
厚膜薄膜集成电路总技术条件*
精密线绕电阻器总技术条件
管状非固体钽电解质烧结钽电容器
直热式普通用负温度系数热敏电阻器总技术条件
低介电容器总技术条件
普通线绕电阻器总技术条件
噪声二极管和气体放电噪声管总技术条件
微动开关总技术条件
测温型负温度系数热敏电阻器总技术条件
旁热型负温度系数热敏电阻器总技术条件
稳压型负温度系数热敏电阻器总技术条件
功率速调管总技术条件
指轮开关总技术条件
复合介质电容器总技术条件
直热式正温度系数热敏电阻器总技术条件
振荡器用石英谐振器
压电滤波器总技术条件
防雷型氧化锌压敏电阻器总技术条件
灭弧型氧化锌压敏电阻器总技术条件
消噪型氧化锌压敏电阻器总技术条件
干簧继电器总技术条件
按钮开关总技术条件
电子时间继电器总技术条件
黑白电视接收机用偏转线圈总技术条件
镉镍圆柱密封碱性蓄电池
雷达用高压和大功率脉冲变压器通用技术条件
滑动开关总技术条件
黑白广播电视接收机用-体化回扫变压器总技术条件
交流电动机用电容器总规范
电子设备用稳压变压器总技术条件
雷达用高压充电电感通用技术条件(可供认证用)
电子设备用固定电阻网络第-部分:总规范
电子设备用电位器第-部分:总规范
电子设备用固定电感器总规范
彩色电视广播接收机用开关电源变压器总技术条件
彩色电视广播接收机用枕校变压器总技术条件
彩色电视广播接收机用行推动变压器总技术条件
彩色电视广播接收机用音频输出变压器总技术条件
彩色电视广播接收机用滤波电感器总技术条件
电子设备用压电陶瓷滤波器总规范
电子设备用声表面波滤波器总规范
电磁干扰滤波器
制线路板
镉镍方形密封碱性蓄电池总规范
镉镍扁形密封碱性蓄电池总规范
镉镍圆柱密封碱性蓄电池
电视广播接收机用印制板规范
射频固定和可变电感器总规范
摄像管总规范
计数管总规范
发射管总规范
速调管总规范
盘封管总规范
脉冲闸流管总规范
光电倍增管总规范
阴极射线管总规范
充气微波开关管总规范
军用通信设备通用规范
电子元器件选用管理要求
机载稳定瞄准平台通用规范
舰船通用规范总册
直升机平视显示/武器瞄准系统通用规范
连续波测量系统通用规范
短波单边带对空通信设备通用规范
宇航用电子元器件选用指南继电器
机载电子设备通用指南
机载电子设备设计准则
航天用电子元器件质量控制要求
引信故障树底事件数据手册
飞机变速恒频发电系统通用规范
飞机发动机进气道及机体系统结冰探测器通用规范
自行高炮火控雷达通用规范
Lx波段指挥引导数据传输机载设备通用规范
飞机变压整流器通用规范
各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法
飞机外部电源监控器通用规范
军用搬移式同步数字传送网设备规范
卫星通信机载站天线分系统通用规范
引信工程设计手册
防空兵目标指示雷达通用规范
航空瞄准具通用规范
机载激光照射器通用规范
飞机静止变流器通用规范
飞机电源变压器通用规范
引信故障树底事件数据手册

相关标准

飞机维修品质规范航空电子设备维修品质的一般要求
飞机维修品质规范航空显示装置与电气设备维修品质的一般要求
军用小型数字电子计算机通用技术条件
常规兵器定型试验方法反坦克导弹系统 可靠性试验
常规兵器定型试验方法反坦克导弹系统 制导设备
潜艇直流推进电机及辅助设备规范
飞航导弹强度和刚度规范可靠性要求和重复载荷
地面雷达情报处理和传递系统通用技术条件系统可靠性考核方法
水面战斗舰艇系泊和航行试验规程载贷升降机设备试验
水面战斗舰艇系泊和航行试验规程厨房设备试验

包含图表

环 境 分 类
环 境 分 类
半导体单片集成电路的
半导体单片集成电路的
环境系数Eπ
半导体单片集成电路质
半导体单片集成电路质
成熟系数Lπ
Tπ 表号汇总表
半导体集成电路管壳温
结到管壳的热阻的参考
半导体集成电路结温的
半导体集成电路结温的
TTL、HTTL、HTL及ECL
STTL数字电路、PLA和T
LSTTL、PMOS、NMOS、C
5.1.1.1—9 CMOS、CMO
MNOS数字电路、PLA和P
双极及MOS模拟电路的T
电压应力系数Vπ
CMOS电路的Vπ
PROM电路的可编程序工
单片双极数字电路的复
单片MOS数字电路的复
单片双极PLA和PAL电路
单片MOS的PLA和PAL电
双极与MOS模拟电路的
双极与MOS微处理器的
双极SRAM的复杂度失效
MOS及CCD的SRAM电路的
双极ROM及PROM的复杂
MOS的ROM及PROM电路的
MOS的DRAM电路的复杂
MOS的EPROM电路的复杂
EEPROM的读/写循环率
封装复杂度失效率3C 1
单片集成电路失效模式
混合集成电路的工作失
混合集成电路的工作失
1 环境系数Eπ
混合集成电路质量等级
温度应力系数Tπ
电路功能系数Fπ
网络复杂度失效率Cλ
厚膜与薄膜电阻的失效
混合集成电路外贴元器
混合集成电路外贴元器
工艺和封装失效率SFλ
混合电路失效模式分布
工作失效率模型
环境系数Eπ
质量等级及质量系数Qπ
计算示例
计算示例
计算示例
半导体分立器件的分类
半导体分立器件的分类
普通晶体管及二极管的
基本失效率
晶体管和二极管的基本
晶体管及二极管的质量
锗NP工作失效率模型
环境系数Eπ
质量系数Qπ
应用系数Aπ
额定功率系数rπ
电压应力系数rπ
结构系数Cπ
失效模式分布
硅NPN晶体管基本失效
硅NPN晶体管基本失效
硅PNP晶体管基本失效
硅PNP晶体管基本失效
硅NPN晶体管基本失效
硅PNP晶体管基本失效
锗PNP晶体管基本失效
锗PNP晶体管基本失效
锗NPN晶体管基本失效
锗NPN晶体管基本失效
工作失效率模型
基本失效率bλ
环境系数Eπ
质量系数Qπ
应用系数Aπ
温度系数Tπ (金金属化
温度系数Tπ (铝金属化
匹配网络系数Mπ
发射极镇流系数bπ
工作失效率模型
环境系数Eπ
质量系数Qπ
应用系数Aπ
结构系数Cπ
种类系数Kπ
额定值系数rπ
失效模式分布
硅场效应晶体管基本失
硅场效应晶体管基本失
工作失效率模型
基本失效率bλ

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