| ·增强低剂量率敏感度： | 用于指某一样品在剂量率低于 0.5Gy(Si)/s 时，增强辐射产生的破坏。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率感应锁定： | 这是一种可恢复的器件效应。由于电离辐射脉冲产生的光电流作用，使器件内寄生结构(例如 p－n
－p－n 或 n－p－n－p 四层通路)导通，而且在光电流消失后仍维持一段不确定时间的导通状态。只要电
源电压大于维持电压、电流大于维持电流，器件就维持锁定。锁定破坏了电路中某一部分的正常工作，
并可能由于半导体区域、金属化层或键合线的局部过热引起器件致命损坏。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率翻转的阈值： | 能引起下述任一种现象出现的剂量率：
a) 瞬态输出翻转，即处于工作状态的数字集成电路，输出电压发生变化，而高于或低于规定的逻
辑电平(瞬态电压判据见 3.2)，但在辐射脉冲停止作用后，电路立即恢复至辐射前的状态。
b) 数据存贮或逻辑状态翻转，有一个或多个内部存贮或逻辑单元的状态发生变化，而且在辐射脉
冲作用后并不能立即得到恢复。但是，如果在输入端施加一个与原先用来建立辐射前状态时相
同的逻辑信号序列，可使电路恢复至辐射前的条件状态。
c) 动态翻转，正处于工作状态的器件受辐射时，其正常输出或存贮的测试图形发生变化。翻转响
应可取决于辐射脉冲与器件工作周期之间精确的时间关系。由于工作时需要许多时钟信号，使
用宽辐射脉冲是必需的。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率： | 给定材料的单位质量在单位时间内从其受辐射的辐射场中吸收的能量。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率响应： | 在给定剂量率的辐射脉冲作用下，处于工作状态的线性微电路的参数瞬态变化。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率： | 在单位时间内，单位质量的给定材料从对其作用的辐射场中吸收的能量。Gy(Si)/s，Gy(SiO2)/s，Gy(GaAs)/s 等等。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·剂量率感应翻转： | 当规定参数(如：输出电压、电源电流、输出信号波形)辐射感应的瞬态变化超过规定水平时所发生
的翻转。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·地面[γ辐射]等剂量率分布： | 核武器爆炸后，根据预测与实测的地面放射性沾染不同地点的γ辐射剂量(照射量)率的
等值分布范围与形状。
（GJB 188.2A-96 防化术语 核监测） |
| ·地面[γ辐射]剂量率衰减： | 核武器爆炸后，由于放射性落下灰中混合裂变产物等各种放射性核素的蜕变原因，地面放
射性沾染的γ辐射剂量率不断减弱的过程与现象。通常按 t-1.25的规律定量估算衰减
(t 为爆后时间)。
（GJB 188.2A-96 防化术语 核监测） |
| ·吸收剂量率 D： | 在 dt 时间内吸收剂量的增量，dD 除以 dt，D＝dD／dt。
（GJB 188.2A-96 防化术语 核监测） |