基本信息

同源术语

·缺陷：	在外形、装配、功能或工艺质量等方面与详细规范规定的任何不一致现象。
·可筛选缺陷：	利用筛选方法和检验方法可剔除的缺陷。
·批次性缺陷：	由设计、制造过程中造成的并在同批次器件中重复出现的缺陷。
·潜在缺陷：	在某种应力作用下使器件内部造成了轻微损伤，器件的电参数虽仍然合格，但可能造成器 件的某些能力降低或使用寿命缩短。
·失效模式：	使器件未达到规定的电要求和物理要求而确定为失效器件的拒收原因。
·失效机理：	引起器件失效的物理、化学或其他的过程。
·失效原因：	引起器件失效的设计、制造或使用阶段的有关因素。
·常规分析：	对器件进行一般性的检测，通常是非破坏性的，并可贯穿于器件的每个分析阶段中。
·非破坏性分析：	不破坏器件被测性能，并能提供特定的信息以帮助证实失效的原因。
·半破坏性分析：	导致器件性能产生不可逆变化的检测，但器件的有源区不产生不可逆变化,及不妨碍器件 功能的进一步测试。
·破坏性分析：	对器件进行超出容限规定范围的检测。

相关术语

·失效分析：	为确定电子元器件电参数超出规定界限的原因，对产品进行检查的过程，从而得到失效模 式、失效机理和激发失效的原因。 （GJB 546-88 电子元器件可靠性保证大纲）
·器件：	单片、多片、膜和混合集成电路以及构成电路的诸元件。 （GJB 548A-96 微电子器件试验方法和程序）
·失效分析：	在失效后，通过对产品的结构、使用和技术文件的逻辑的系统性检查，来鉴别失效并确定 失效机理及其基本原因。 （GJB 727-89 遥测系统术语）
·失效模式：	失效的表现形式。 （GJB 727-89 遥测系统术语）
·失效机理：	导致失效的物理、化学变化等内在原因。 （GJB 727-89 遥测系统术语）
·微电子器件：	单片、多片、膜和混合集成电路，以及构成这些电路的各种元件。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·故障层次：失效机理、物理失效、逻辑故障、错误：	“故障层次”把物理缺陷及其起因与故障仿真器及可观察到的效应联系起来。 “失效机理(failure mechanism)”是物理失效的真正起因，例如微电路中铝互连线的电迁移。 “物理失效(physical failure)(简称失效)”是失效机理引起的实际物理缺陷，例如金属互连线开路。 “逻辑故障(logical fault)(简称故障)”是直接由失效引起的结果的逻辑抽象，例如开路金属线导致 逻辑门输入端的“固定 1”行为。 “错误(error)”是在有故障的 DUT 的一个或多个可观察的初始输出端与无故障 DUT 相应输出端 之间逻辑行为的区别。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·电荷耦合器件：	利用沿芯片表面耗尽偏置电极下部的脉动电荷存储信息的器件。广泛用于不要求随机存 取的固态图像存储系统。 （GJB 727A-98 航天测控系统术语与缩略语）
·铁电陶瓷显示器件：	透明强介电性铁电陶瓷[(Pb，La)(Zr，Ti)O3]，在外加电场作用下会因局域向列而产生 双折射效应，使透过光受外加电压调制而显示图像的一种受光型显示器。 （GJB 727A-98 航天测控系统术语与缩略语）
·电致发光显示器件：	利用电致发光材料受到激励而发光的显示器。 （GJB 727A-98 航天测控系统术语与缩略语）