| ·单粒子效应(SEE)： | 单个高能粒子作用于器件所引发的翻转、锁定、烧毁、栅穿等现象。 |
| ·单粒子锁定(SEL)： | 单个高能粒子作用于体硅 CMOS 电路，导致寄生可控硅结构导通，造成器件低电阻、大电流状态
的一种辐射效应。 |
| ·线性能量传输(LET)： | 带电粒子沿径迹单位长度沉积的能量，单位：MeV·cm
2
/mg。 |
| ·有效 LET： | 倾斜入射时沿表面垂直方向上单位长度沉积的能量，有效 LET 按下式计算： |
| ·线性能量传输阈值： | 使器件发生单粒子效应所需的最小 LET 值。 |
| ·注量率： | 单位时间内单位面积上垂直入射的粒子数，单位：ion/(cm2·s)。 |
| ·注量： | 单位面积上垂直入射方向的粒子总数，单位：ion/cm2。 |
| ·截面： | 单位注量粒子导致单粒子效应发生的次数，单位：cm
2
/device 或 μm
2
/bit。 |
| ·饱和截面： | 增加入射粒子的 LET 值而截面不再增加的单粒子效应截面。 |