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二次电子倍增

标准号:GJB 1389A-2005   标准名称:系统电磁兼容性要求       2005-10-02

基本信息

【名称】 二次电子倍增
【英文名称】 multipactio n
【定义】 二次电子倍增是一个仅在高真空环境中发生的射频谐振效应。在高真空环境中,由于射频场使自由 电子加速,引起与可能产生次级电子的表面碰撞而产生次级电子,这些次级电子被加速后又产生更多的 电子,最终导致较多的放电并可能使设备损坏。

同源术语

·电磁环境效应:电磁环境对电气电子系统、设备、装置的运行能力的影响。它涵盖所有的电磁学科,包括电磁兼容 性,电磁干扰,电磁易损性,电磁脉冲,电子对抗、电磁辐射对武器装备和易挥发物质的危害,以及雷 电和沉积静电(P-static)等自然效应。 [GJB 72A-2002,定义 2.1.14]
·甲板下:舰船内周围有金属结构的部位,或对电磁辐射提供有效衰减的部位,例如金属船壳、水面舰船的上 层结构、潜艇的壳体和非金属舰船的屏蔽舱室等的内部区域。
·甲板上:舰船上直接暴露于外部电磁环境和甲板下以外的区域。
·泄密发射:保密信息处理系统产生的、承载保密信息的无意发射信号。如果这些信号被截获和分析,将会泄漏 该系统处理的安全信息。
·电起爆装置:电起爆装置是用电能产生爆炸的、烟火的、热的或机械输出的独立的单元、装置或组件,包括热桥 丝电起爆装置、导电合成电雷管、半导体桥式电起爆装置、激光起爆器、爆炸箔起爆器、燃烧线或熔断 保险丝等。
·雷电直接效应:当雷电电弧附着时伴随产生的高温、高压冲击波和电磁能量对系统所造成的燃烧、熔蚀、爆炸、结 构畸变和强度降低等效应。
·雷电间接效应:当雷电放电时伴随产生的强电磁脉冲感应引起的过电压或过电流对系统电气电子设备所造成的损 坏或干扰。
·安全裕度:敏感度门限与环境中的实际干扰信号电平之间的相对数值之差,用分贝表示。 [GJB 72A-2002,定义 2.1.25]
·最大不发火激励:置信度为 95%,在 5min 内没有引起多于 0.1%的电起爆装置发火的最大发火激励。对于装有延迟元 件或响应时间大于 5min 的电起爆装置,在确定最大不发火激励时,发火激励应施加正常激励所需要的 时间。

相关术语

·二次电子倍增.:二次电子倍增是一种仅在高真空中产生的RF效应,在高真空中RF 场加速自由电子引起与产生次级电子的表面碰撞,这些次级电子被加速并产生更多的电子, 最终导致主要的放电和可能的设备损坏。
(MIL-STD-464A 系统电磁环境效应要求)