基本信息

同源术语

·腐蚀疲劳：	金属同时受到腐蚀和交变应力或交变应变作用的破坏过程。
·腐蚀介质：	含有-种或多种腐蚀剂的环境。
·电化学腐蚀：	至少包含-对电极反应的腐蚀。
·人造海水：	用化学试剂模拟海水的化学成分而配制的海水溶液。
·疲劳裂纹扩展速率：	在载荷循环过程中，由于加载引起的裂纹伸长 速率，以每次循环中的平均裂纹增长量表征，本方法中表示为裂纹尖端应力强度因子范围△K 的函数。
·应力强度因子范围：	最大与最小应力强度因子值之差，即：
·裂纹(嘴)张开位移：	用夹式位移规卡在试样裂纹嘴处测量由弹性变形产生的 裂纹嘴位移。
·裂纹(嘴)张开位移(COD)标定：	由试验法或解析法得到的数学表达式，反映特定平面 几何形状试样的裂纹(嘴)张开位移与载荷、裂纹长度、试样厚度及弹性模量的关系。
·物理裂纹尺寸：	从参考平面到观测裂纹尖端的距离。其距离可以用沿裂纹前缘 几次测量的平均值表示。其参考平面对于C(T)或WOL试样取加载线作平面，对M(T)试样取 中心线作平面。
·裂纹长度：	本方法中，物理裂纹尺寸以a P 表示，下标P是隐含的。对于C(T)和 WOL试样，a从加载线开始计量，见图1和图2。对于M(T)试样，a从试样中心线开始计量，见 图3。

相关术语

·金属射流：	聚能装药爆炸后药形罩内层形成的高速金属流。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属射流头部速度：	侵彻目标前金属射流前端的速度。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属射流断裂：	金属射流在运动中不连续的现象。 （GJB 550-88 弹箭术语及定义）
·金属之间的接触：	由于装配使紧密封接触的金属表面镀层面临一个特殊的问题，因为不相容金属之间的接触形成了电 解偶。这种电解偶通过原电池的作用将加速金属的腐蚀。为了对这种腐蚀提供需要的防护，金属间的偶 合应限制在有关规定允许的范围内。 （GJB 734A-2002 旋转开关(电路选择器，小电流容量)通用规范）
·金属半导体场效应晶体管(MESFET)：	指栅电极采用金属半导体整流接触的场效应晶体管。典型 MESFET 采用砷化镓制作，称为 GaAs MESFET。MESFET 分为耗尽型器件和增强型器件，分别记为 D－MESFET 和 E－MESFET。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·金属化层的粘附不良：	不是由于设计要求而出现的金属化层材料与下面基板的分离，空气桥和由设计切去金属层下部的情 况除外。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·多层金属化(导体 )：	用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间未用绝缘材料将它们彼此 隔离。“下层金属”指顶层金属下面的任一层金属(见图 2)。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·多层布线金属化层(导体 )：	用于起互连作用的双层或多层金属或任何其他导电材料，这几层材料之间用绝缘材料(也称为层间 介质)彼此隔离(见图 3)。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·工作金属化层(导体)：	用作起互连作用的所有金属层或任何其他导电材料层，不包括金属化的划片槽、测试图、未连接的 功能电路元件、不使用的键合区和识别标志。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）
·外围金属：	所有直接与划片槽相连或位于划片槽上的金属。 （GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序）