| ·天线―介质耦合损耗： | 在对流层散射线路中，路径天线增益Gp不等于收、发天线自由空间增益之和GT+GR(以
分贝表示)，而这路径天线增益的意义是收发天线在对流层散射传播中能够实现的增益，因此，
收发天线自由空间增益之和与路径天线增益之差即为天线介质耦合损耗Lc,列式表示即为：
Lc=GT+GR—GP。
（GJB 700-89 军用通信系统术语） |
| ·支撑瓦： | 包箍和保护装填物，传递抛射药压力的金属弧形板。当装填物脱离弹体后，自行散开。
（GJB 550-88 弹箭术语及定义） |
| ·薄膜电雷管： | 电桥为通电发热薄膜的电雷管。
（GJB 551-88 火工品术语） |
| ·爆炸薄膜电雷管： | 电桥为能在高功率强脉冲电流作用下迅速气化而产生物理爆炸效应的导电薄膜的电雷
管。
（GJB 551-88 火工品术语） |
| ·介质耐压试验： | 在未装配电桥的电火工品部件的脚线之间和成品电火工品的短路了的脚线与壳体之间施
加规定时间和规定值的电压，测量其泄漏电流的试验。
（GJB 551-88 火工品术语） |
| ·天线-介质耦合损耗： | 在对流层散射线路中，天线路径增益 G，不等于收、发天线自由空间增益之和 GT＋GR(以分贝表
示)，而这天线路径增益的意义是收发天线在对流展散射传播中能够实现的增益，因此，收发天线自由
空间增益之和与天线路径增益之差即为天线介质耦合损耗 LC，列式表示即为：LC＝GT＋GR－GP。
（GJB 700A-2006 军用通信系统术语） |
| ·介质隔离： | 用绝缘层(如氧化物)围绕着单片半导体集成电路中的元件，使该电路中的一个或多个元件之间形成
电的隔离。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·单层或多层介质： | 为保护在再分布金属层或在焊球连接区上形成接触通孔，在芯片表面淀积的多层或单层介质层
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·薄膜： | 厚度等于或小于 5μm 的导电的或电阻性的或电介质的膜系统。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |
| ·粘接介质： | 用来实现元件与下层表面附着的一种材料(例如：粘合剂、焊料、合金)。
（GJB 548B-2005 微电子器件试验方法和程序） |