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基本信息

【范围】	1.1 主题内容 本标准规定了横电磁波室(TEM cell)电性能的测量。横电磁波室包括对称型横电磁波 室、不对称型横电磁波室(ATEM cell)和吉赫横电磁波室(GTEM cell)。 1.2 适用范围 本标准适用于横电磁波室的技术鉴定、生产定型和交收试验，并可指导横电磁波室的研 制。
【与前一版的变化】

包含术语

临界频率：	在横电磁波室内，当阻性匹配负载性能下降、吸波材料的吸收性能欠佳时所呈现驻波比偏 大的频率过渡范围，通常以该范围内驻波比最大的频率表示。
试验区：	横电磁波室工作区内，场强不均匀性在规定值以内的区域称试验区，其中场强不均匀性在 ±1dB内的区域称精确试验区。
传输损耗：	横电磁波室输入端口和输出端口信号电平之差(dB)。
屏蔽效能：	横电磁波室端口馈入激励信号后，试验区中心场强E0 与横电磁波室1m处泄漏场强综合 值E1 之比，即

引用文件/被引文件

GB 6113

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GJB 72

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包含图表

屏蔽效能	屏蔽效能	测量横电磁波室电压驻
试验区中心的标称场强	测量区城和测量设备配	对应于第i个测量点场
分贝	测量横电磁波室传输损	横电磁波室屏蔽能测试
测量横电磁波室时域抗