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基本信息

GJB 3157-98
半导体分立器件失效分析方法和程序
Failure analysis methods and procedures for semiconductor discrete devices
1998-03-16
1998-09-01
有效
王群勇;黄瑞毅;施明哲;
电子工业部第五研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
半导体分立器件;扫描电子显微镜;失效分析方法;失效模式;芯片
【范围】 1.1 主题内容 本标准规定了在实验室对半导体分立器件开展失效分析的方法和一般程序。 1.2 适用范围 本标准适用于半导体分立器件(以下简称器件)的失效分析。 1.3 应用指南 开展失效分析时,应根据失效器件的种类、结构、失效模式和失效机理等因素来决定所要 采用的失效分析方法和程序。本标准给出的失效分析程序,分析人员可据此开展失效分析工 作,也可依实际工作情况适当变更分析程序,以达到分析目的。
【与前一版的变化】

包含术语

缺陷在外形、装配、功能或工艺质量等方面与详细规范规定的任何不一致现象。
可筛选缺陷利用筛选方法和检验方法可剔除的缺陷。
批次性缺陷由设计、制造过程中造成的并在同批次器件中重复出现的缺陷。
潜在缺陷在某种应力作用下使器件内部造成了轻微损伤,器件的电参数虽仍然合格,但可能造成器 件的某些能力降低或使用寿命缩短。
失效分析为确定和分析失效器件的失效模式、失效机理、失效原因及失效后果而对失效器件所做的 检查。
失效模式使器件未达到规定的电要求和物理要求而确定为失效器件的拒收原因。
失效机理引起器件失效的物理、化学或其他的过程。
失效原因引起器件失效的设计、制造或使用阶段的有关因素。
常规分析对器件进行一般性的检测,通常是非破坏性的,并可贯穿于器件的每个分析阶段中。
非破坏性分析不破坏器件被测性能,并能提供特定的信息以帮助证实失效的原因。
半破坏性分析导致器件性能产生不可逆变化的检测,但器件的有源区不产生不可逆变化,及不妨碍器件 功能的进一步测试。
破坏性分析对器件进行超出容限规定范围的检测。

引用文件/被引文件

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包含图表

失效分析的-般程序
失效分析详细程序
失效分析详细程序
失效分析详细程序
失效分析详细程序
曲型的管脚间电特性
曲型的结特性
半导体材料表面化学抛
硅、锗片表面轮廓显示
np 结显示剂
半导体器件所用材料的
半导体器件所用材料的
半导体分立器件的主要
失效分析报告

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