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基本信息

GJB 33.3-87
半导体分立器件详细规范GP、GT和GCT级3DD3442型NPN硅功率晶体管详细规范
Dctail specification for discrete semiconductor devices NPN silicon power transistor,type 3DD3442,class GP、GT and GCT
1987-08-07
1988-03-01
有效
电子工业部卫光电工厂;电子工业部标准化研究所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
半导体分立器件;功率晶体管;晶体管安全工作区;详细规范;表面涂层
【范围】 1.1 范围 本规范规定了3DD3442型NPN硅功率晶体管的详细要求。器件按GJB33—85的规定提 供三个产品保证等级。 1.2 外形尺寸 外形尺寸见图1。 {ddc977bb5efe44963ca0b392353d831f.jpg}1.3 最大额定值 {712658e8423486415d1b0f17a96272b2.jpg}1.4 主要电特性(T C =25℃) {0a6e2be2d726985a9fb1cbe41044574a.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
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半导体分立器件整流二极管空白详细规范

包含图表

3DD3442型晶体管外形
最大额定值
主要电特性
筛选
A组检验
A组检验
B组检验
B组检验
C组检验
C组检验
A、B和C组最后测试
A、B和C组最后测试
最大直流安全工作区
试验电路

标准反馈


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