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基本信息
【标准号】
GJB 33.3-87
【中文名称】
半导体分立器件详细规范GP、GT和GCT级3DD3442型NPN硅功率晶体管详细规范
【英文名称】
Dctail specification for discrete semiconductor devices NPN silicon power transistor,type 3DD3442,class GP、GT and GCT
【发布时间】
1987-08-07
【实施时间】
1988-03-01
【有效性】
有效
【起草人】
【起草单位】
电子工业部卫光电工厂
;
电子工业部标准化研究所
;
【提出单位】
电子工业部
【归口单位】
【批准单位】
国防科学技术工业委员会
【分类】
【备案号】
【自动关键词】
半导体分立器件
;
功率晶体管
;
晶体管安全工作区
;
详细规范
;
表面涂层
【范围】
1.1 范围 本规范规定了3DD3442型NPN硅功率晶体管的详细要求。器件按GJB33—85的规定提 供三个产品保证等级。 1.2 外形尺寸 外形尺寸见图1。 {ddc977bb5efe44963ca0b392353d831f.jpg}1.3 最大额定值 {712658e8423486415d1b0f17a96272b2.jpg}1.4 主要电特性(T C =25℃) {0a6e2be2d726985a9fb1cbe41044574a.jpg}
【与前一版的变化】
引用文件/
被引文件
GJB 33-85
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包含图表
3DD3442型晶体管外形
最大额定值
主要电特性
筛选
A组检验
A组检验
B组检验
B组检验
C组检验
C组检验
A、B和C组最后测试
A、B和C组最后测试
最大直流安全工作区
试验电路
标准反馈
     反馈标准:
问题类型:
技术性问题
逻辑性问题
应用性问题
编辑性问题
其它问题
反 馈: