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基本信息

GJB 33.1-87
半导体分立器件详细规范GP、GT和GCT级3DD3716型NPN硅功率晶体管详细规范
Detail speci fication for deserete semicond uctor devices NPN silicon power transistor,TyPe 3DD37 1 6,Class G P、GT and GCT
1987-08-07
1988-03-01
有效
电子工业部卫光电工厂;电子工业部标准化研究所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
半导体分立器件;详细规范;安全工作区;功率晶体管;测试电路
【范围】 1.1 范围 本规范规定了NPN硅大功率晶体管的详细要求,器件按GJB33-85的规定。提供三个产 品保证等级。 1.2 外形尺寸 外形尺寸见图1。{bb6b087eb892b8e7532417a6775ba180.jpg} 1.3 最大额定值 {fdfcf2a33e1d7a83e4284322efaf23cc.jpg}1.4 主要电特性(Tc=25±3℃): {b518b35dfe8b4e918f31756786169d1b.jpg} {ecb08e0c19c7826ed8f80f128ce8e4b7.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
双极型晶体管测试方法

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半导体分立器件开关二极管空白详细规范
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半导体分立器件整流二极管空白详细规范

包含图表

最大额定值
主要电特性
主要电特性
A组检验
A组检验
A组检验
筛选
B组检验
B组检验
C组检验
C组检验
A、B和C组后测试
3DD3716型晶体管的外
测试电路A
开关时测试电路
最大直流安全工作区
开关安全工作-饱合与
开关安全工作区-饷和
钳位电感扫描试验电路
测试电路
试验电路
试验电路

标准反馈


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