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基本信息

GJB 33.7-88
半导体分立器件GP、GT和GCT级3CK2907型PNP硅小功率开关晶体管详细规范
Semiconductor discrete device Detail specification for PNP silicon low power switching transistor for type 3CK 2907 GP,GT and GCT classes
1988-03-23
1988-07-01
有效
电子工业部国营星光电工厂;四所;
电子工业部
国防科学技术工业委员会
半导体分立器件;测试电路;功率开关晶体管;测试方法;详细规范
【范围】 1.1 范围 本规范规定了3CK2907型PNP硅小功率开关晶体管的详细要求。每档器件均按GJB33 《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 1.2 外形尺寸 外型尺寸按GB7581《半导体分立器件外形尺寸》的A3-01B型及如下规定: {4a937530ee6f936598c5b42bacfd9d64.jpg}1.3 最大额定值 {06224e689eff82c21b765b1a7f613f79.jpg}1.4 主要电特性(T A =25℃) {2d6af14d8b37dcf866c70926e23c1405.jpg} {cff0d234fea590fddbdec568c8286014.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体分立器件总规范
半导体分立器件试验方法
双极型晶体管测试方法
半导体分立器件外形尺寸

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包含图表

外形尺寸
最大额定值
主要电特性
主要电特性
筛选
A组检验
A组检验
A组检验
A组检验
B组检验
C组检验
B组和C组最后测试
集电极-发射极击穿电
输入电容(输出端开路
饱和开通时间测试电路
饱和关断时间测试电路

标准反馈


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