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基本信息

【范围】	1.1 主题内容 本标准规定了碲镉汞(Hg1-xCdxTe)晶片的电学参数、X值、红外透射谱图和X—射线劳 埃背射貌相的测量方法。 1.2 适用范围 本标准适用于0.195≤X≤0.300碲镉汞晶片(一般厚度为0.7±0.1mm)的主要性能的检 测和交货的质量评定，也适用于其他波段的碲镉汞晶片的检测。
【与前一版的变化】

包含术语

组分X值：

Hg1-xCdxTe三元固溶体合金中CdTe的摩尔数。

引用文件/被引文件

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包含图表

原理方框图	晶片透过曲线(300K)	X-射线劳埃背射貌相法
碲镉汞晶片劳埃貌相图	样品的电阻率	电阻率测量原理图
晶片霍尔系数	晶片霍尔系数	霍尔系数测量原理图
霍尔系数RH	载流子浓度	霍尔迁移率
测量电路图	电阻率的测量	霍尔系数的测量
霍尔系数的测量	平均霍尔系数	载流子浓度的计算
在77K下为低温杂质电	霍尔迁移率的计算	定义
范德堡法样品示意图	电阻率	测量原理
测量原理	范德堡法修正函数关系	霍尔系数的计算
载流子浓度的计算	载流子浓度的计算	霍尔迁移率的计算