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基本信息

GJB 5814-2006
军用电子器件X射线剂量增强效应测量方法
Testing method of X-ray dose enhancement effect for military electronic devices
2006-10-20
2007-01-01
有效
郭红霞;陈雨生;龚建成;韩福斌;周辉;张凤祁;林东生;何宝平;罗尹虹;
中国人民解放军第二十一试验训练基地
中国人民解放军总装备部司令部
中国人民解放军总装备部
GJB 832A-2005>电子元器件标准>综合标准(XFL 6100)
辐照剂量;测量方法;剂量增强效应;试验;电子器件
【范围】 本标准规定了军用电子器件 X 射线剂量增强效应的测量方法。 本标准适用于军用电子器件 X 射线剂量增强因子的试验测量,属于损伤性测量方法。本标准只适 用稳态辐照,不适用于瞬态辐照。
【与前一版的变化】

包含术语

剂量增强效应当 X 射线通过高、低原子序数两种材料的界面时,在界面处形成非平衡过渡区所造成的剂量增强, 称之为 X 射线剂量增强效应。
剂量增强因子(DEF)非平衡过渡区的吸收剂量与材料的平衡吸收剂量之比。
相对剂量增强因子(RDEF)使器件产生相同损伤的 γ 射线的辐照剂量与 X 射线的辐照剂量之比。

引用文件/被引文件

半导体器件辐射加固试验方法 γ 总剂量辐照试验
应用热释光剂量测量系统确定电子器件吸收剂量的方法

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包含图表

对应 Ei能量的剂量片
剂量片测得的能谱剂量
相对剂量增强因

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