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基本信息
【标准号】
GJB 5814-2006
【中文名称】
军用电子器件X射线剂量增强效应测量方法
【英文名称】
Testing method of X-ray dose enhancement effect for military electronic devices
【发布时间】
2006-10-20
【实施时间】
2007-01-01
【有效性】
有效
【起草人】
郭红霞
;
陈雨生
;
龚建成
;
韩福斌
;
周辉
;
张凤祁
;
林东生
;
何宝平
;
罗尹虹
;
【起草单位】
中国人民解放军第二十一试验训练基地
【提出单位】
中国人民解放军总装备部司令部
【归口单位】
【批准单位】
中国人民解放军总装备部
【分类】
GJB 832A-2005>
电子元器件标准
>
综合标准
(XFL 6100)
【备案号】
【自动关键词】
辐照剂量
;
测量方法
;
剂量增强效应
;
试验
;
电子器件
【范围】
本标准规定了军用电子器件 X 射线剂量增强效应的测量方法。 本标准适用于军用电子器件 X 射线剂量增强因子的试验测量,属于损伤性测量方法。本标准只适 用稳态辐照,不适用于瞬态辐照。
【与前一版的变化】
包含术语
剂量增强效应
:
当 X 射线通过高、低原子序数两种材料的界面时,在界面处形成非平衡过渡区所造成的剂量增强, 称之为 X 射线剂量增强效应。
剂量增强因子(DEF)
:
非平衡过渡区的吸收剂量与材料的平衡吸收剂量之比。
相对剂量增强因子(RDEF)
:
使器件产生相同损伤的 γ 射线的辐照剂量与 X 射线的辐照剂量之比。
引用文件/
被引文件
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包含图表
对应 Ei能量的剂量片
剂量片测得的能谱剂量
相对剂量增强因
标准反馈
     反馈标准:
问题类型:
技术性问题
逻辑性问题
应用性问题
编辑性问题
其它问题
反 馈: