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基本信息

【标准号】: GJB 2917A-2004
【中文名称】: 磷化铟单晶片规范
【英文名称】: Specification for single crystal Indium Phosphide wafers
【发布时间】: 2004-09-01
【实施时间】: 2004-12-01
【有效性】: 有效
【起草人】: 邓志杰;杨钧;崔玉成;孙聂枫;赵有文;焦景华;
【起草单位】: 北京有色金属研究总院;中国电子科技集团公司第十三研究所;中国科学院半导体研究所;
【提出单位】: 国家经贸委军品配套办公室
【归口单位】: 中国有色金属工业标准计量质量研究所
【批准单位】: 国防科学技术工业委员会
【分类】
【备案号】
【自动关键词】: 磷化铟;单晶片;抛光片;参考面;表面质量

【范围】

本规范规定了磷化铟单晶片(包括研磨片、腐蚀片、抛光片，下同)的要求、质量保证规定和交货准备等。本规范适用于高压液封直拉(HPLEC)法拉制的、用于制造光电器件和高频高速器件的磷化铟单晶片。

【与前一版的变化】

本规范与 GJB 2917－1997《磷化铟单晶片规范》相比较有以下主要变化： a) 增加了直径 75mm InP 单晶片的有关规定，并对按位错密度分级作了相应的修改。 b) 增加了腐蚀片规范。晶片按表面状况分类，由原来的研磨片、抛光片两类，改为研磨片、腐蚀片、抛光片(包括单面抛光和双面抛光)三类。 c) 删去直径 30mm、40mm 两种规格。