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基本信息

GJB 2442-95
有可靠性指标的单层片式瓷介电容器总规范
Capacitor,chip,single layer,fixed,parallel plate,ceramic dielectric,established reliability,general specification for
0001-01-01
1996-06-01
有效
霍光;黎昌木;穆爱东;
中国电子技术化研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
电容器;承制方;失效率等级;绝缘电阻;温度特性
【范围】 1.1 主题内容 本规范规定了有可靠性指标的单层片式瓷介电容器的一般要求、质量保证规定。 1.2 适用范围 本规范适用于有可靠性指标的单层片式瓷介电容器。 1.3 分类 1.3.1 型号规格 本规范中所包括的电容器其型号规格应符合规定(见3.1)并采用下列形式:例如: {9647e02f3d7f39c6c210147d73c3f4f6.jpg}1.3.1.1 型号 型号是用三个字母"CCK”或"CTK”并后跟四位数字来表示;如:CCK1101或CTK1101。 “CC"表示1类瓷介电容器;“CT”表示2类瓷介电容器;K表示有可靠性指标的;11表示形状 (圆片形);01表示顺序号。 1.3.1.2 尺寸 圆形用φ表示;矩形用长×宽表示;以mm为单位;数值以整数为宜。 1.3.1.3 温度特性 1类瓷介电容器的温度特性以温度系数表示(简称特性)按表1用一个字母表示,当要求 表示温度系数等级(简称等级)时,可用二个字母表示,第1个字母表示温度系数,第2个字母 表示等级。例如:CG表示(0±30)×10 -6 /℃;2类瓷介电容器的温度特性以电容量温度特性表 示(简称特性)按表1用两个字符2X、2C和2F表示。这两类电容器的额定温度范围均为—55 ~125℃。电容量温度特性为2F的电容器在10℃~85℃之间进行测量。 {1e8d094fb4c06e0d8055fe3ab77ff7b5.jpg} {64f1c20f621b8b990b98467128e6d193.jpg}1.3.1.4 电容量 标称电容量范围应符合规定(见3.1)。 1.3.1.5 标称电容量允许偏差 标称电容量允许偏差按表2规定用一个字母来表示。 {e911f56b22f1116d2e2ce49309e0de51.jpg} {dd2a81598ea035f4e7a498825b554cba.jpg}1.3.1.6 额定电压 额定电压用实际数字表示(见3.1) 1.3.1.7 引出端镀涂层 引出端镀涂层用一个字母N或P表示。N表示适用于焊锡焊接的引出端(见3.5.2);P表 示适用于导电树脂粘接或易熔合金焊接的引出端(见3.5.2)。 1.3.1.8 失效率等级 失效率等级按表3规定用一个字母表示。 {06ff9b1ce5041067454d3e8a58c86e4f.jpg}
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

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包含图表

型号规格
1类温度特性
2类温度特性
标称电容量允许偏差
标称电容量允许偏差
失效率等级
温度特性
鉴定检验
A组检验
PPM类别的押样方案
B组的检验
C组的检验
典型“试验基板”
公式
温度特性循环
标称电容量允许偏差替
标称电容量允许偏差替

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