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基本信息

GJB 2833-97
砷化镓外延片规范
Specification for gallium arsenide epitaxial wafer
1997-05-23
1997-12-01
有效
吴逵;陈桂璋;朱顺才;俞土法;
电子工业部五十五研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
外延片;微波单片集成电路;砷化镓;载流子浓度;均匀性
【范围】 1.1 主题内容 本规范规定了半导体微波器件和微波单片集成电路用砷化镓外延片(以下简称外延片) 的牌号、要求、质量保证规定和交货准备。 1.2 适用范围 本规范适用于半导体微波器件和微波单片集成电路用外延片。 1.3 分类 1.3.1 牌号 外延片的牌号由以下五部分组成: {6532e5393e27bfd437bab4814597089a.jpg}示例: WE-V-GaAs-n+n/n-/s.i-Ф40表示半导体微波器件用汽相砷化镓外延片,系半绝缘 砷化镓衬底上先生长n-,再生长n,最后生长n+结构,圆形外延片,直径为40mm。DE-V-GaAs-+n/n-/s.i-Ф50表示微波单片集成电路用汽相砷化镓外延片,系半绝 缘砷化镓衬底上先生长n-,再生长n,最后生长n+ 结构,圆形外延片,直径为50mm。
【与前一版的变化】

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包含图表

外延片的牌号
外延片的外形尺寸
外延片的技术参数
外延片的技术参数
外延片的外形尺寸
过渡区宽度
质量-致性检验项目及
匀性
均匀性
均匀性
外延层厚度浓度乖积
测量取点u和L

标准反馈


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