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基本信息

GJB/Z 105-98
电子产品防静电放电控制手 册
Elcetorsttaic discharge contorl hanbdo k for protection of electronic product s
1998-03-16
1998-09-01
有效
张宝铭;孔斌;胡景森;
电子工业部标准化研究所
中华人民共和国电子工业部
中国电子技术标准化研究所
国防科学技术工业委员会
【范围】 1范围 1.1主题内容 本手册为军用电子产品(电子元器件、组件和设备)按照国家军用标准GJB 1649《电子产 品防静电放电控制大纲》的要求,制定、实施和检查产品的静电放电防护控制计划提供了技术 指南。 12适用范围 本手诩适用于静电放电敏感电子产品的静电防护控制。本手册提供的技术原理和资料、 数据也可供其他类别的静电放电敏感产品在静电防护控制过程中参考使用。 本手册不适用于电起爆装置。 1.3应用指南 1 .3.1和GJB1649的关联性 GJB 1649各项要求的付诸实施将形成对静电放电敏感电子产品全寿命期连续的静电防 护控制。因此,GJB 1649的各项要求即适用于军用敏感电子产品的承制方,也适用于这些产 品的使用方。 本手册和GJB 1649具有相同的适用范围。本手册提供的技术指南,通过包含在各项附录 中的技术数据、资料做了补充。表1给出了GJ B 1649的各项要求、本手册提供的技术指南和 各项附录的补充技术资料三者之间的相互关联关系。 {0a3b71218708001ad6fba9c96bbf6270.jpg} {ad481cc1a60f2b20eac1cdbc27bcfd66.jpg} 除表1所列外,本手册附录 A(参考件)与 JG B16 4 9和 本手册的各章条 内 容均 相关联 。 1.3. 2使用时需考虑的 问 题 有三个相互关联 的 问题 在使用 JG B16 4 9和本指 导性技 术文件时 需加 以考虑。 这 三个 问题是 :a.剪 G裁J B1 6 4 9已 在其1. 3条中指 明,它 的各 项要求 在使用 时允许剪 裁。 实施程序 为,首 先 由产品承制方按照产 品特点和订购方提供的使用环境条件要求, 从该标准的表1中 选 取合适 的控制要素 和负责执行 的职能部门, 并经过订购方书面认可 。 b.关键 件当订购方指 明其所订购 的静 电放电 敏感 电子产 品 属 于重点工程所用 的关键性设备 或这 种 设备上所用的 敏感元器件、组件时, 其静电放 电控制计划 应包括对3级敏感产 品 的 防护。 否则,只 包括对1 、2级敏感产品 的 防护 。 c.采 购 对 于新设计试制 的硬件产品,其订购合同(含再次采购)中 应将 JG B1 6 4 9表1的 各项要 求包括进去。相反,对于非试制产 品,例如商业成品、 普通工业用产品 或从前未按照 JG B16 4 9 要求生产的产 品, 订购时应删去 JG B1 6 4 9中 的设计 防护 要求。 在有些情况下,承制 和订购 双 方可 以协商静 电 防护 的设计加 固要求 。
【与前一版的变化】

包含术语

加速寿命试验感4尹六只的毛才酷二‘才左冲椰奈动下作名涯甫七砰嗽肪_孙志奈扮嘛_
坑静电性能指肪止牙尹电何生成和机粱的符住。饥辞甩材科便神甩何户生朋叮弱仕颐主报小。嗽任耶 不完全依赖于材料的电阻率。
组件由能够拆散的一些元器件或分组件连结到一起以形成一种专门功能的组合物
雪崩击穿由电场引起的碰撞电离使电荷载流子累积倍增所形成的一种击穿
体击穿由于局部高温引起金属化合金或杂质扩散使在参数方面发生变化的一种能量依赖型失效 机理
致命失效因某项关键功能丧失导致的一种失效
电量用以表征物体所带电荷数量的物理量。若在二个相互绝缘的导体之间,其电容为C,电 压为V,导体上所贮存的电荷量为Q,则表达三者之间关系的公式为:Q(电量)=C(电容) x V(电压)。
带电器件模型一种表征特定的静电放电失效机理的模型。在该模型中,对地绝缘的器件被充电并被放 电,引起一个短持续时间的放电脉冲
静电放电敏感元器件、组件和设备的分级对于GJB 1649规定的静电放电电压敏感的静电放电敏感元器件、组件和设备的分级。静 电放电敏感产品按敏感度电压被分级为: 1级: 损坏敏感的放电电压从OV--1 999 V。 2级: 损坏敏感的放电电压从2 000V~3 999V。 3级: 损坏敏感的放电电压从4 000V~15 999V。 注:对GJB 1649来说,敏感的静电放电电压为16 000V或更高的元器件、组件和设备,被认为上对静电放电不敏感 的。
分级试验通常指用来确定元器件静电放电敏感度级别的试验方法。该方法见GJB 1649附录A(补 充件)
导(静)电材料对静电放电防护来说,为具有下列特性的材料: 表面导电型: 具有的表面电阻率小于105Ω/□的材料。 体积导电型: 具有的体积电阻率小于104Ω·cm的材料。
电晕放电由导体周围的空气电离引起的一种发光放电。
衰减时间带电体上的电压下降到其起始值的给定百分数所需要的时间。
器件指像微电路或半导体器件一类的产品。
介质击穿由于超载电压引起的某种绝缘材料的失效
(静电)耗散材料对静电放电防护来说,为具有下述特性的材料: 表面导电型: 具有的表面电阻率等于或大于105Ω/□但小于10120/口的材料。 体积导电型: 具有的体积电阻率等于或大于104Ω.cm但小于1011Ω·cm的材料。
大地电极埋于地下与大地保持良好的电气连接的金属体或金属体组。它可以是杆状的、板状的或 网状的,为接地系统提供接大地的基准点(见GJB 3007第3.1.6条)。
电场一种区域状态,在该区域状态中,带电物体由于其电荷而受到力的作用。
电气和电子元器件指像微电路、半导体分立器件、电阻器、电容器、或压电晶体一类的元器件。
静电荷处于静止状态的电荷。负的或正的电荷存在于材料或物品的表面上。
静电放电两个具有不同静电电位的物体,由于直接接触或静电场感应引起的两物体间的静电电荷的转移(见GJB 1649第3.1.1条)。
静电放电敏感(的)产品的性能将被ESD事件影响或损坏的相对可能性。
静电场在静电带电的表面之间的电压梯度(见3.1.18条电场)。
静电屏蔽板一个防止静电场穿透的挡板或包皮。
静电一种处于相对稳定状态的电荷。它所引起的磁场效应较之电场效应可以忽略不计。静电 现象是借助于静电荷的存在和这些电荷的相互作用来辨别的那类现象,这种相互作用完全因 为电荷自身和它们的位置,而不是因为它们的运动。
设备通常能够在各种情况下独立运行的装置或装配在一起具有独立功能的多个元器件、分组 件和组件的组合。
防静电工作区配备各种防静电设备和器材、能限制静电电位、具有确定边界和专门标记的适于从事静电 防护操作的场所(见GJB 3007第3.1.1条)。
静电放电防护操作以防止ESD损害的方式对材料和设备进行处理或操作。
静电放电防护材料具有下述一种或多种特性的材料:限制静电荷的发生;耗散静电荷;或对静电场提供屏蔽。 对于本手册而言,静电放电防护材料分为导(静)电性的或耗散(静电)性的。
静电放电防护包装使用静电放电防护材料,使静电放电敏感产品受静电放电损害的可能性减至最小的包装 (见GJB/Z 86第3.4条)。
静电放电敏感度级别电子元器件、组件和设备依据其对静电放电损坏的敏感性进行的敏感度分级。
电场感应模型用来表征电气浮地器件的一种模型,此器件置于一静电场中然后去接触另一个物体引起 静电放电。
能供给或接受大量电荷的物体(如大地、舰船或运载工具外壳等)。
接地电气连接到能供给或接受大量电荷的物体(如大地、舰船或运载工具外壳等) (见GJB 1649第3.1.2条)。
硬接地直接与大地电极作导电性连接的一种接地方式(见GJB 3007第3.1.4条)。
操作在静电放电敏感电子产品的制造、老化、筛选、检测、装联、包装、贮存、修理和失效分析等 过程中,直接或间接地作用于产品的有效活动(见GJB 3007第3.1.2条)。
人体模利用一只15000电阻器串联一只100pF电容器来表征的一种标准化了的试验模型。
感应在不进行直接接触的情况下,一个电荷在其附近的物体上借以建立起电荷的过程。
输人防护在产品的输入端用来防止电气损坏的一种防护网络。
绝缘材料就静电放电防护而言,未被定义为导(静)电性的或耗散(静电)性的材料被认为是绝缘材 料。
防护贮存在使用静电放电防护罩或包装包裹的情况下,静电放电敏感产品的贮存。
电阻率对于通过材料的电流(即包括体积电流也包括表面电流)的电阻的一种量度。表面电阻率 是直流电场强度对材料表面电流线密度的比值。表面电阻率(ρx)的测量单位是欧姆每平方, 体积电阻率是跨越和一个样品接触的二个电极施加在材料的每单位厚度上的直流电压对于通 过此材料的每单位面积上流过的电流总和的比值。体积电阻率(ρv)的测量单位是欧姆·厘米。
软接地通过一足以限制流过人体的电流达到安全值的电阻连接到大地电极的一种接地方式(见 GJB 3007第3.1.5条)。
静电屏蔽材料防止静电放电或静电场通过、穿人的材料,或不允许通过此材料损伤被保护物。
分组件作为一个整体、形成组件或单元可替换件的一部分、由二个或更多的零件组成的制件,但 具有一个或多个单独替换的零件。
技术数据指用于某一项专门目的的科学或技术性质的记录信息(与记录的形式或获得记录的方法 无关)。
技术数据包由适用于支撑产品目标的计划、设计、生产工程的技术描述和逻辑支持件所组成,它包括 所有可适用的技术资料,例如图样、相关明细表格、规范、标准、性能要求、质量保证规定、包装 和操作细节。
摩擦电效应通过磨擦或其他接触分离形式在物体上产生静电荷的一种效应。

包含缩略语

CCM带电芯片模型
CDM带电器件模型
CMOS互补金属-氧化物-半导体
DIP双列直插式封装
EBP接地连接点
ECL发射极耦合逻辑
EMC电磁兼容性
EMP电磁脉冲
EPA防静电工作区
EPROM可擦可编程只读存储器
ESD静电放电
ESDS静电放电敏感(的)
FET场效应晶体管
FIM电场感应模型
GFCI接地故障电路断路器
HBM人体模型
HMOS高密度金属-氧化物-半导体
JFET结型场效应晶体管
LRU线路或最低可替换单元
1SI大规模集成
LSTTL低功耗肖特基晶体管-晶体管逻辑。
MM机械模型
MIS金属-绝缘体-半导体
MNOS金属-氮化物-氧化物-半导体
MOS金属-氧化物-半导体
NMOSN沟道金属-氧化物-半导体
PGA针栅阵列
PMOSP沟道金属-氧化物-半导体
PVC聚氯乙烯
RAM随机存取存储器
RF射频
RFI射频干扰
SAW声表面波
SCR可控半导体整流器
SOP小型外壳封装
SRU系统或商店可更换单元
TDP技术数据包
TQM全面质量管理
TL晶体管—晶体管逻辑
UV EPROM紫外线可擦可编程只读存储器
VDR随电压变化的电阻器
VHSI超高速集成
VLSI超大规模集成
VMOS垂直槽金属-氧化物-半导体

引用文件/被引文件

微电子器件试验方法和程序
集成电路总规范
电子产品防静电放电控制大纲
防静电工作区技术要求
军用通信设备通用规范
有可靠性指标的电磁继电器总规范
直升机瞄准吊舱系统通用规范
机载电子设备通用指南
机载视频跟踪器通用规范
防静电工作区技术要求

相关标准

飞机维修品质规范航空电子设备维修品质的一般要求
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地面雷达情报处理和传递系统通用技术条件物理接口和数据链路控制规程
水面战斗舰艇系泊和航行试验规程柴油机推进装置自动控制和监测系统试验
水面战斗舰艇系泊和航行试验规程汽轮机推进装置控制和监测系统试验
话音频带调制解调器模拟载波控制
电子元器件可靠性保证大纲
电子元器件质量保证大纲
军工产品质量标志和可追溯性要求

包含图表

本手册 基及 附录和 J
本手册 基及 附录和 J
典型的主要电荷源
典型的主要电荷源
典型的主要电荷源
静电的主要来源表3A典
静电的主要来源表3A典
典型的主要电荷源
对ESD敏感的元器件组
对ESD敏感的元器件组
当微电路上的器件被充
在器件上感应的电荷
图D1 栅防护网路

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