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基本信息

【标准号】: GB/T 6616-2009
【中文名称】: 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法
【英文名称】: Test methods for measuring resistivity of semiconductor wafers or sheet resistance of semiconductor films with a noncontact eddy-current gauge
【发布时间】: 2009-10-30
【实施时间】: 2010-06-01
【有效性】: 现行
【起草人】: 楼春兰;朱兴萍;方强;汪新平;戴文仙;
【起草单位】: 万向硅峰电子股份有限公司
【提出单位】
【归口单位】: 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
【批准单位】: 国家市场监督管理总局
【分类】
【备案号】
【自动关键词】

【范围】

本标准规定了用非接触涡流测定半导体硅片电阻率和薄膜薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径或边长大于25mm、厚度为0.1mm-1mm的硅单晶切割片、研磨片和抛光片的电阻率及硅薄膜的薄层电阻。测量薄膜薄层电阻时，衬底的有效薄层电阻至少应为薄膜薄层电阻的1000倍。硅片电阻率和薄膜薄层电阻测量范围分别为1.0*10<上标-3>Ω?cm-2*10<上标2>Ω?cm和2*10<上标3>Ω/□~3*10<上标3>Ω/□ 。

【与前一版的变化】

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