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基本信息
【标准号】
GJB/Z 55-94
【中文名称】
宇航用电子元器件选用指南半导体分立器件
【英文名称】
Guideline for selection and application of spaceborne electronic parts Discrete semiconductor devices
【发布时间】
1994-09-12
【实施时间】
1995-04-01
【有效性】
有效
【起草人】
余振醒
;
鲍百容
;
薛仁经
;
管长才
;
【起草单位】
中国航天工业总公司第五研究院
;
七○八所
;
【提出单位】
中国航天工业总公司
【归口单位】
中国航天工业总公司第七○八研究所
【批准单位】
国防科学技术工业委员会
【分类】
【备案号】
【自动关键词】
半导体分立器件
;
二极管
;
功率晶体管
;
场效应晶体管
;
闸流晶体管
【范围】
1.1 主题内容 本标准规定了宇航用半导体分立器件(不包括微波器件)选择及应用的原则和要求。 1.2 适用范围 本标准适用于宇航用国产半导体分立器件的选择和应用。其它军用或进口半导体分立器 件的选择和应用亦司参照使用。
【与前一版的变化】
引用文件/
被引文件
GB 249-89
半导体器件型号命名方法
GB 7581-87
半导体分立器件外形尺寸
GB 11499-89
半导体分立器件文字符号
GJB 33-85
半导体分立器件总规范
GJB 128-86
半导体分立器件试验方法
GJB 1649-93
电子产品防静电放电控制大纲
GJB/z 10-89
半导体分立器仟系列型谱
GJB/Z 27-92
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GJB/Z 35-93
元器件降额准则
GJB/Z 299A-91
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瞬变电压抑制硅二极管详细规范
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GJB 33.001-89
半导体分立器件高频小功率晶体管空白详细规范
包含图表
表 1 RHA 等级和要求
表 2 半导体分立器件
表 3 静电敏感度等级
图 1 半导体器件典型
图 2 感性负载反电势
表 4 环境及寿命试验
表 5 二极管类型选择
表 6 同工艺工关二极
表 7 开关二极管的电
表 8 整流用二极管的
表 9 电压调整二极管
表 10 电压基准二极管
表 11 电流调整二极管
表 13 变容二极管的电
表 13 瞬变电压抑制二
表 14-1 发光二极管的
表 14-2 光敏二极管的
表 14-3 光电池的电特
表 15 光电二极管老化
表 16 晶体管类型选择
表 17 小功率晶体管的
图 3 ICBO随 Tamb和 V
图 4 fFE随 Tamb和 IC
图 5 fs随 ICE和 VCE
图 6 VCEsat随 IC和 I
图 7 不同偏置方式漏
表 18 功率晶体管的电
图 8 晶体管二次击穿
图 9 晶体管二次击穿
图 10 功率晶体管安全
表 19 各种场效应晶体
表 20 场效应晶体管与
表 21 功率 MOS 场效
表 22 场效应晶体管的
表 23 小功率场效应晶
表 24 功率场效应晶体
图 11 闸流晶体管的特
图 12 在不同控制极电
表 25 闸流晶体管的电
图 13 光敏晶体管输出
图 14 光谱响应曲线
图 15 光电流随温度的
图 16 暗电流随温度的
表 26 光敏晶体管的电
表 27 光电耦合器的电
表 27 光电耦合器的电
表 28 光敏晶体管和光
标准反馈
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问题类型:
技术性问题
逻辑性问题
应用性问题
编辑性问题
其它问题
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