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基本信息

GJB 3076-97
磷化镓单晶片规范
Specification for monocrystalline gallium phosphide wafers
1997-11-05
1998-05-01
有效
邓志杰;杨钧;章厚琪;王海涛;俞斌才;
北京有色金属研究总院
中国有色金属工业总公司
中国有色金属工业总公司标准计量研究所
国防科学技术工业委员会
磷化镓;单晶片;位错腐蚀坑;位错密度;霍尔迁移率
【范围】 1.1 主题内容 本规范规定了磷化镓单晶研磨片(简称磷化镓单晶片)的分类、要求、质量保证规定和交货 准备等。 1.2 适用范围 本规范适用于高压液封直拉法(HPLEC)控制的磷化镓单晶片。 1.3 产品分类 1.3.1 分类 产品的导电类型为n型,单晶片的表面状态为研磨片。 1.3.2 牌号 磷化镓单晶片的牌号表示为: {43ae62a89b14b0de3797911c43389806.jpg}牌号中的符号含义应符合GB/T 14844的规定。 示例:HPLEC-GaP-LW-n(s)-(111)-Ⅱ表示位错密度等级为Ⅱ级表面取向为 (111)的n型掺硫高压液封直拉磷化镓单晶研磨片。 1.3.3 规格 磷化镓单晶片的直径为50mm一种规格。
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

半导体单晶晶向测定方法
逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续检查)
非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
半导体材料牌号表示方法

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包含图表

牌号
制造磷化镓单晶片用的
磷化镓单晶的晶体完整
磷化镓单晶片的几何参
磷化镓单晶片的表面质
磷化镓单晶片的检验项
磷化镓单晶片的检验项
磷化镓单晶片直径、厚
九点读数位置与单晶直
九点测量点位置示意图
LEC GaP单晶的平均位
位错腐蚀坑密度测量报

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