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基本信息

【范围】	本规范规定了半导体发光二极管器件(以下简称“器件”)的分类、生产和交付的通用要求，以及必 须满足的质量和可靠性保证要求。 本规范适用于非空腔结构的单芯片、多芯片半导体发光二极管显示器件、照明器件，也适用于信号 指示或其他特殊用途的器件。
【与前一版的变化】

包含术语

非空腔结构：	器件中的 LED 芯片被硅胶或环氧树脂类材料完全封装的一种结构。
功率器件：	单芯片工作电流在 100mA 以上的发光二极管器件。反之为小功率器件。
平均 LED 发光强度：	在规定的 LED 的光探测器构成的立体角内的照射光通量与立体角的比值。

替代标准

GJB 2146-1994

引用文件/被引文件

GB/T 191

包装储运图示标志

GB/T 4937-1995

半导体器件机械和气候试验方法

GB/T 5169.5-1997

电工电子产品着火危险试验 第 2 部分：试验方法 第 2 篇：针焰试验

GB/T 11499

半导体分立器件 文字符号

GB/T 15651

半导体分立器件和集成电路 第 5 部分：光电子器件

GJB 128

半导体分立器件试验方法

GJB 150.10-1986

军用设备环境试验方法 霉菌试验

GJB 546

电子元器件质量保证大纲

GJB 548

微电子器件试验方法和程序

GJB 1649

电子产品防静电放电控制大纲

相关标准

·GJB 128-86

半导体分立器件试验方法

·GJB 548A-96

微电子器件试验方法和程序

·GJB 128A-97

半导体分立器件试验方法

·GJB 33.001-89

半导体分立器件高频小功率晶体管空白详细规范

·GJB 33.002-89

半导体分立器件低频大功率晶体管空白详细规范

·GJB 33.003-89

半导体分立器件5W、1GHz以下的单栅场效应晶体管空白详细规范

·GJB 33.004-89

半导体分立器件功率开关晶体管空白详细规范

·GJB 33.005-89

半导体分立器件开关二极管空白详细规范

·GJB 33.006-89

半导体分立器件电压调整和电压基准二极管空白详细规范

·GJB 33.007-89

半导体分立器件整流二极管空白详细规范

包含图表

表 1 内部导体允许的	表 2 筛选要求	表 3 鉴定检验
表 3 鉴定检验	表 4 A 组检验	表 5 B 组检验
表 6 C 组检验	表 6 C 组检验	表 7 对环境有害的材
表 A.1 LED 芯片评价	表 A.2 封装材料评价	表 A.3 引线框架的评
表B1 LTPD 抽样方案	表B1 LTPD 抽样方案