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基本信息

GJB 2917-97
磷化铟单晶片规范
Specification for monocrystal Indium Phosphide wafers
1997-05-23
1997-12-01
有效
邓志杰;杨钧;崔玉成;
北京有色金属研究总院
中国有色金属工业总公司
中国有色金属工业总公司标准计量研究所
国防科学技术工业委员会
磷化铟;单晶片;载流子浓度;霍耳迁移率;表面质量
【范围】 1.1 主题内容 本规范规定了磷化铟单晶研磨片和抛光片(简称磷化铟单晶片)的分类、要求、质量保证规 定和交货准备等。 1.2 适用范围 本规范适用于高压液封直拉法(HPLEC)拉制的用于制造光电器件和高频高速器件的磷 化铟单晶片 1.3 产品分类 1.3.1 分类 产品按导电类型分为n型和p型;按磷化铟单晶片的表面状况分为研磨片和抛光片。 1.3.2 牌号 磷化铟单晶片的牌号表示为: {afb13ae9414a1c706c3e4563f11778ae.jpg}牌号中的符号含义应符合GB/T 14844的规定。 示例:HPEC-InP-PW-n(Sn)-(111)-Ⅱ表示位错密度为Ⅱ级晶面取向为(111)的 n型掺锡高压液封直拉磷化铟单晶抛光片。LW表示研磨片。 1.3.3 规格 磷化铟单晶片按直径分为30、40、50mm三种规格。
【与前一版的变化】

引用文件/被引文件

逐批检查计数抽样程序及抽样表(适合于连续批检查)
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包含图表

牌号
磷化甸单晶的掺杂剂、
磷化铟单晶位错密度等
磷化甸单晶抛光片和研
磷化铟单晶片的表面质
单晶锭的检验项目、取
单晶片的检验项止和取
单晶片抽检项止的合格

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